H9CCNNNBJTMLAR-NTD 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能、低功耗的LPDDR4 SDRAM(低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器)芯片。该器件专为移动设备和高性能计算应用设计,具备高带宽、低电压运行等优势,广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等领域。
制造商: SK Hynix
产品类型: LPDDR4 SDRAM
存储容量: 4GB
数据总线宽度: x32
电压: 1.1V
最大工作频率: 3200Mbps
封装类型: FBGA
封装尺寸: 10mm x 12mm
温度范围: 工业级 (-40°C 至 +85°C)
封装引脚数: 228
JEDEC标准: 兼容
H9CCNNNBJTMLAR-NTD 是一款低功耗、高性能的LPDDR4内存芯片,适用于对性能和功耗都有较高要求的应用场景。其主要特性包括:
? 低电压运行:该芯片的工作电压为1.1V,显著降低了功耗,提高了能效,适用于电池供电设备。
? 高数据速率:最高数据传输速率可达3200Mbps,满足高性能计算和数据密集型任务的需求。
? 高容量:提供4GB的存储容量,适合运行复杂操作系统和多任务处理。
? 高集成度:采用先进的DRAM制造工艺,集成度高,减小了PCB布局空间。
? 宽温度范围:支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),可在严苛环境中稳定运行。
? 兼容JEDEC标准:确保与主流SoC和控制器的兼容性,简化设计和替换过程。
? 高可靠性:采用先进的封装技术和质量控制流程,保证产品在长期运行中的稳定性和可靠性。
H9CCNNNBJTMLAR-NTD 主要用于以下领域:
? 智能手机和平板电脑:作为主内存,支持高性能应用和多任务处理。
? 嵌入式系统和工业控制设备:提供稳定、高效的数据存储与处理能力。
? 网络通信设备:如路由器、交换机等,用于高速缓存和数据转发。
? 汽车电子系统:包括车载信息娱乐系统、ADAS系统等对可靠性要求较高的场景。
? 高性能计算设备:例如便携式工作站、AI加速模块等,需要高带宽内存支持的应用。
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