类型：LPDDR4 SDRAM
　　容量：8GB（多个x8或x16配置）
　　封装类型：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
　　工作电压：1.1V（核心），1.8V（I/O）
　　时钟频率：最高可达1600MHz
　　数据速率：3200Mbps（每秒兆位传输）
　　数据宽度：x8或x16（取决于具体配置）
　　封装尺寸：13mm x 12mm 或 13mm x 15mm（依据不同封装版本）
　　温度范围：商业级（0°C 至 +85°C）
　　接口：LPDDR4 标准接口
　　封装针脚数：199球（199-ball FBGA）

H9CCNNN8KTALBR-NUM 的核心特性包括高效的低功耗架构，适用于需要长时间运行的移动设备。其LPDDR4标准支持双倍数据速率操作，从而显著提高内存带宽和性能。此外，该芯片采用先进的CMOS工艺制造，确保在高频操作下的稳定性和能效。FBGA封装形式不仅减小了物理尺寸，还提高了热管理和机械可靠性，适合紧凑型设备设计。
　　该芯片支持多种工作模式，包括自刷新、温度补偿自刷新和深度掉电模式，进一步优化了功耗管理。同时，H9CCNNN8KTALBR-NUM 集成了错误检测和校正功能，提升了数据完整性和系统稳定性。

该芯片广泛应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、无人机、汽车信息娱乐系统（IVI）以及工业自动化设备。由于其高带宽和低功耗的特性，也适合用于需要大量数据处理能力的边缘计算设备和AI加速模块。

H9CCNNN8KTALBR-NUM 可以替换为同一系列的其他型号，如 H9HCNNN8KMUMBR-NUM 或 H9HCNNN8KUCLBR-NUM，具体取决于所需的容量、速度等级和封装形式。在某些情况下，也可以使用美光（Micron）或三星（Samsung）的兼容型号，如 MT53B1G8B4-BC 或 K3UH5H5CDAM-AGC1。