时间：2025/9/2 5:04:44
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H9CCNNN8KTALBR-NTDR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的移动式LPDDR4X SDRAM内存芯片。该芯片主要面向高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统及其他便携式设备，提供高带宽和高效能的内存解决方案。其容量为8GB，采用PoP（Package on Package）封装形式，便于堆叠在应用处理器之上，节省电路板空间。
容量：8GB
类型：LPDDR4X SDRAM
封装类型：PoP
工作电压：1.1V / 0.6V
数据速率：4266Mbps
封装尺寸：9mm x 13mm
温度范围：-40°C 至 +85°C
接口标准：JEDEC标准接口
带宽：约34.1GB/s
H9CCNNN8KTALBR-NTDR具备多项先进的性能与设计特点。首先，它采用了LPDDR4X技术，相较于LPDDR4，在电压上进一步降低至1.1V（核心电压）和0.6V（I/O电压），显著减少了功耗，延长了设备的电池寿命。其次，该芯片支持高达4266Mbps的数据速率，提供极高的数据传输效率，满足现代智能设备对实时图形、高清视频和复杂运算的需求。此外，PoP封装形式允许内存芯片直接堆叠在应用处理器之上，优化了PCB布局，减小了整体体积，非常适合空间受限的移动设备。H9CCNNN8KTALBR-NTDR还具备良好的热管理和可靠性设计，能够在广泛的工作温度范围内稳定运行，适用于各种严苛环境。最后，该芯片支持多银行组（Multi-Bank Groups）和突发长度（Burst Length）为16的特性，进一步提高了数据访问效率和内存利用率。
H9CCNNN8KTALBR-NTDR 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、高性能嵌入式系统以及车载信息娱乐系统（IVI）等需要高带宽、低功耗内存解决方案的场合。其PoP封装特别适合需要紧凑设计的移动设备，能够在保证性能的同时最大限度地节省空间。该芯片也非常适合用于运行复杂操作系统、大型游戏、AR/VR应用以及多任务处理的智能终端。
H9HKNNN8ASMLAR-NTDR, H9HQNNN8GDLLAR-NTDR
