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H9CCNNN8KTALBR-NTDR 发布时间 时间:2025/9/2 5:04:44 查看 阅读:12

H9CCNNN8KTALBR-NTDR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能、低功耗的移动式LPDDR4X SDRAM内存芯片。该芯片主要面向高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统及其他便携式设备,提供高带宽和高效能的内存解决方案。其容量为8GB,采用PoP(Package on Package)封装形式,便于堆叠在应用处理器之上,节省电路板空间。

参数

容量:8GB
  类型:LPDDR4X SDRAM
  封装类型:PoP
  工作电压:1.1V / 0.6V
  数据速率:4266Mbps
  封装尺寸:9mm x 13mm
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口标准:JEDEC标准接口
  带宽:约34.1GB/s

特性

H9CCNNN8KTALBR-NTDR具备多项先进的性能与设计特点。首先,它采用了LPDDR4X技术,相较于LPDDR4,在电压上进一步降低至1.1V(核心电压)和0.6V(I/O电压),显著减少了功耗,延长了设备的电池寿命。其次,该芯片支持高达4266Mbps的数据速率,提供极高的数据传输效率,满足现代智能设备对实时图形、高清视频和复杂运算的需求。此外,PoP封装形式允许内存芯片直接堆叠在应用处理器之上,优化了PCB布局,减小了整体体积,非常适合空间受限的移动设备。H9CCNNN8KTALBR-NTDR还具备良好的热管理和可靠性设计,能够在广泛的工作温度范围内稳定运行,适用于各种严苛环境。最后,该芯片支持多银行组(Multi-Bank Groups)和突发长度(Burst Length)为16的特性,进一步提高了数据访问效率和内存利用率。

应用

H9CCNNN8KTALBR-NTDR 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、高性能嵌入式系统以及车载信息娱乐系统(IVI)等需要高带宽、低功耗内存解决方案的场合。其PoP封装特别适合需要紧凑设计的移动设备,能够在保证性能的同时最大限度地节省空间。该芯片也非常适合用于运行复杂操作系统、大型游戏、AR/VR应用以及多任务处理的智能终端。

替代型号

H9HKNNN8ASMLAR-NTDR, H9HQNNN8GDLLAR-NTDR

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