时间：2025/9/3 18:27:21
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H9CCNNN8JTALAR-NTM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）DRAM芯片。该芯片设计用于移动设备和嵌入式系统，提供高速数据访问和高效的能耗管理，适用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备等对功耗和性能有高要求的应用场景。
容量：8GB（LPDDR4x）
数据速率：4266 Mbps
电压：1.1V（VDD）/0.6V（VDDQ）
封装类型：FBGA
数据宽度：16位
工作温度：-40°C至85°C
H9CCNNN8JTALAR-NTM 采用了先进的LPDDR4x技术，相较于LPDDR4，其在数据传输速率和能效方面都有显著提升。该芯片支持高速突发传输模式，能够满足高带宽需求的应用场景。此外，它具备低功耗特性，包括深度电源关闭（DPD）模式和自刷新模式（Self-Refresh），可有效延长设备的电池寿命。芯片的封装形式为FBGA（细间距球栅阵列），具有良好的热管理和电气性能，适合在紧凑的移动设备中使用。其工作温度范围为-40°C至85°C，适应各种复杂的工作环境。
H9CCNNN8JTALAR-NTM 还支持多种刷新模式，包括自动刷新和自刷新，确保数据的稳定性和可靠性。其内部设计包含多组Bank，支持并发操作，从而提高数据吞吐能力。该芯片还具备出色的抗干扰能力，能够在高频工作状态下保持稳定的信号完整性。
H9CCNNN8JTALAR-NTM 主要应用于高端智能手机、平板电脑、高性能计算模块（HPCM）、嵌入式系统以及需要高带宽和低功耗存储解决方案的设备。其高性能和低功耗特性使其成为5G通信设备、AI加速模块、AR/VR设备以及车载信息娱乐系统（IVI）的理想选择。
H9CCNNN8JTALAR-NMD, H9CCNNN8JTALAR-NVM
