您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H9CCNNN8JTALAR-NTM

H9CCNNN8JTALAR-NTM 发布时间 时间:2025/9/3 18:27:21 查看 阅读:7

H9CCNNN8JTALAR-NTM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能、低功耗的LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)DRAM芯片。该芯片设计用于移动设备和嵌入式系统,提供高速数据访问和高效的能耗管理,适用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备等对功耗和性能有高要求的应用场景。

参数

容量:8GB(LPDDR4x)
  数据速率:4266 Mbps
  电压:1.1V(VDD)/0.6V(VDDQ)
  封装类型:FBGA
  数据宽度:16位
  工作温度:-40°C至85°C

特性

H9CCNNN8JTALAR-NTM 采用了先进的LPDDR4x技术,相较于LPDDR4,其在数据传输速率和能效方面都有显著提升。该芯片支持高速突发传输模式,能够满足高带宽需求的应用场景。此外,它具备低功耗特性,包括深度电源关闭(DPD)模式和自刷新模式(Self-Refresh),可有效延长设备的电池寿命。芯片的封装形式为FBGA(细间距球栅阵列),具有良好的热管理和电气性能,适合在紧凑的移动设备中使用。其工作温度范围为-40°C至85°C,适应各种复杂的工作环境。
  H9CCNNN8JTALAR-NTM 还支持多种刷新模式,包括自动刷新和自刷新,确保数据的稳定性和可靠性。其内部设计包含多组Bank,支持并发操作,从而提高数据吞吐能力。该芯片还具备出色的抗干扰能力,能够在高频工作状态下保持稳定的信号完整性。

应用

H9CCNNN8JTALAR-NTM 主要应用于高端智能手机、平板电脑、高性能计算模块(HPCM)、嵌入式系统以及需要高带宽和低功耗存储解决方案的设备。其高性能和低功耗特性使其成为5G通信设备、AI加速模块、AR/VR设备以及车载信息娱乐系统(IVI)的理想选择。

替代型号

H9CCNNN8JTALAR-NMD, H9CCNNN8JTALAR-NVM

H9CCNNN8JTALAR-NTM推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价