容量：4GB
　　类型：DRAM
　　封装类型：FBGA
　　数据速率：1600Mbps
　　工作电压：1.35V
　　组织结构：x16
　　时钟频率：800MHz
　　数据宽度：16位
　　工作温度范围：0°C至85°C

H8TJR00X0MLR0YM具有低功耗设计，支持多种节能模式，包括自刷新和深度掉电模式，适用于对功耗敏感的应用场景。该芯片采用1.35V的低电压供电，相比传统的1.5V DDR3内存，功耗降低约20%，从而提高了系统的能效。此外，H8TJR00X0MLR0YM支持16位数据宽度，提供了较高的数据传输效率，适用于多任务处理和大数据量传输的场合。
　　H8TJR00X0MLR0YM基于DDR3L（低电压DDR3）技术，能够在较低的电压下保持稳定的工作状态，同时提供较高的数据速率。其800MHz的时钟频率和1600Mbps的数据传输速率，使其适用于需要快速数据存取的高性能系统。该芯片的FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装形式，提供了更小的封装尺寸和更好的散热性能，适用于空间受限的设备。
　　为了提高数据的完整性和可靠性，H8TJR00X0MLR0YM支持多种错误检测和校正功能，包括地址/命令奇偶校验和数据总线反转（DBI）功能。这些特性有助于提高内存系统的稳定性和容错能力，特别适用于服务器和网络设备等对可靠性要求较高的应用场景。

H8TJR00X0MLR0YM广泛应用于个人计算机、服务器、笔记本电脑、嵌入式系统和网络设备等领域。在服务器和工作站中，该芯片可以用于构建大容量内存系统，以支持多线程处理和大规模数据运算。在嵌入式系统中，H8TJR00X0MLR0YM可用于存储临时数据和程序代码，满足高性能和低功耗的需求。此外，该芯片也适用于工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品，如智能电视和高端平板电脑。

H8TJR00U0MLR0YM