时间：2025/9/1 15:13:24
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H8TJR00X0MLR-OYM 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片属于DDR4 SDRAM（双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器）类别，适用于需要高带宽和低功耗的现代计算和存储系统。H8TJR00X0MLR-OYM 通常用于高端服务器、网络设备、工业计算机以及高性能计算设备中，以提供快速的数据存储和访问能力。
容量：8GB
类型：DDR4 SDRAM
封装：FBGA
电压：1.2V
速度等级：3200Mbps
组织结构：x16
工作温度：0°C 至 85°C
H8TJR00X0MLR-OYM DDR4 SDRAM 芯片具备多项高性能和可靠性特征。首先，该芯片采用DDR4技术，提供高达3200Mbps的数据传输速率，支持高带宽需求的应用场景。其次，其低电压设计（1.2V）有助于降低功耗和热量生成，提高系统的能效和稳定性。此外，该芯片的x16组织结构支持更高的数据吞吐能力，适用于数据密集型任务。H8TJR00X0MLR-OYM还集成了先进的刷新和纠错机制，确保数据的完整性和可靠性。最后，该芯片采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，提供良好的电气性能和热管理能力，适用于紧凑型电路设计。
H8TJR00X0MLR-OYM DDR4 SDRAM 芯片主要应用于高性能计算、服务器、企业级存储设备、网络基础设施以及工业计算机系统。该芯片的高带宽和低功耗特性使其非常适合用于数据中心服务器的内存扩展，以提升服务器的处理能力和响应速度。此外，在高端工作站和嵌入式系统中，该存储器芯片可用于支持复杂的数据处理任务，如人工智能计算、大规模数据库管理和虚拟化应用。由于其出色的稳定性和耐用性，H8TJR00X0MLR-OYM也广泛用于工业自动化设备和通信基础设施，以满足长期运行和高负载环境的需求。
H8TJR00U0MLR-OYM,H8TJR00V0MLR-OYM
