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H8TBR00U0MLR 发布时间 时间:2025/9/1 20:37:29 查看 阅读:2

H8TBR00U0MLR是一款由Hynix(现SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的存储器件。该芯片通常用于需要高速数据处理的电子设备,如计算机主板、服务器、图形卡、工业控制系统等。该型号基于特定的封装和规格设计,适用于要求稳定性和高性能的应用场景。

参数

容量:8Gb
  类型:DRAM
  封装类型:BGA
  工作电压:1.2V - 1.5V(具体取决于设计)
  数据传输速率:根据具体时钟频率设定
  接口类型:并行或串行(具体取决于设计)
  工作温度范围:工业级或商业级(通常为0°C至70°C或-40°C至85°C)
  封装尺寸:根据BGA封装类型而定

特性

H8TBR00U0MLR是一款高性能的DRAM芯片,具有较大的存储容量和较快的数据访问速度,适合用于需要大量数据缓存的应用。其采用BGA封装技术,有助于提高封装密度和信号完整性,同时减少信号干扰。此外,该芯片具有较低的功耗特性,适合用于对能效有要求的系统设计。该芯片的工作温度范围覆盖广泛,可在多种环境下稳定运行。
  该芯片的设计支持高速数据传输,并且具备良好的可靠性和稳定性,适用于工业控制、嵌入式系统、网络设备等对性能和稳定性要求较高的应用场合。此外,H8TBR00U0MLR的制造工艺符合行业标准,能够与主流的存储控制器兼容,便于系统集成和开发。
  由于DRAM芯片需要周期性刷新以保持数据完整性,因此在设计系统时需要考虑相应的刷新机制。H8TBR00U0MLR的设计优化了刷新效率,降低了系统设计的复杂度,同时确保了数据的完整性和可靠性。

应用

H8TBR00U0MLR主要应用于需要高性能存储的设备和系统中,如个人计算机、服务器、网络设备、嵌入式系统、工业自动化设备、图形处理单元(GPU)等。此外,该芯片也可用于高性能计算(HPC)设备、通信设备以及消费类电子产品中,作为高速缓存或主存储器使用。

替代型号

H8TBR00U0MFR、H8TBR00U0MCR、H8TBR00U0MBR

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