H8MBX00Q0MMR-0EM 时间：2025/9/2 3:20:52 阅读：6

H8MBX00Q0MMR-0EM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于低功耗DDR4（LPDDR4）系列，广泛应用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统以及其他对功耗和性能有较高要求的电子设备中。这款存储芯片采用BGA（球栅阵列）封装技术，具备高集成度和出色的电气性能，适合在有限的空间内实现高效的数据存储与处理。

参数

容量：8Gb
　　组织结构：x16
　　电压：1.1V / 2.5V
　　频率：最高支持1600MHz
　　封装类型：BGA
　　引脚数：124-pin
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　工艺制程：约20nm
　　数据速率：3200Mbps
　　工作温度：-40℃~85℃

特性

H8MBX00Q0MMR-0EM 作为一款 LPDDR4 SDRAM 芯片，具备多项先进特性，包括低功耗设计、高速数据传输能力以及高存储密度。其1.1V核心电压和2.5V I/O电压的双电源架构显著降低了功耗，使其特别适合电池供电设备。芯片支持高达3200Mbps的数据速率，能够满足高性能计算、图形处理和多任务处理的需求。此外，其采用的先进20nm制造工艺提升了存储密度和能效比，同时保持了良好的稳定性和兼容性。该芯片还支持多种低功耗模式，如深度掉电模式（Deep Power Down Mode）、自刷新模式（Self-refresh Mode）等，有助于进一步延长设备的续航时间。在可靠性方面，H8MBX00Q0MMR-0EM 通过了严格的工业级温度测试，可在-40°C至+85°C的环境下稳定运行，适用于各种严苛的工作环境。
　　在封装方面，该芯片采用124-pin BGA封装形式，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。其封装材料符合RoHS环保标准，确保产品在环保性和安全性方面均达到行业规范。此外，该芯片内置温度传感器和自刷新机制，可确保在高温或断电情况下保持数据完整性，适用于工业控制、车载系统和嵌入式设备等对稳定性要求较高的应用场景。

应用

H8MBX00Q0MMR-0EM 主要应用于高性能移动设备如智能手机和平板电脑，嵌入式系统如工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）、数字标牌、安防监控设备以及便携式医疗设备等领域。由于其具备高速、低功耗和工业级温度适应能力，该芯片也常被用于网络通信设备、边缘计算设备和物联网（IoT）终端产品中。此外，在需要高可靠性和长时间稳定运行的工业自动化系统中，该芯片也发挥了重要作用，如PLC控制器、数据采集系统和智能终端设备等。该芯片的广泛应用范围体现了其在现代电子系统设计中的重要地位，尤其在对性能和功耗有较高要求的场景中具有显著优势。