时间：2025/9/3 19:21:51
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H8BFS0WU0MCR-4EM是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，专为高性能和高密度数据存储应用设计。该芯片广泛应用于计算机内存模块、服务器、嵌入式系统以及需要快速数据处理能力的电子设备中。H8BFS0WU0MCR-4EM采用先进的DRAM技术，具备较高的存储容量和较快的访问速度，同时在功耗和稳定性方面进行了优化，以满足现代电子系统对内存性能的严苛要求。
类型：DRAM
容量：8GB
封装类型：FBGA
电压：1.2V
时钟频率：3200MHz
数据速率：3200Mbps/pin
数据总线宽度：x16
工作温度范围：0°C至85°C
H8BFS0WU0MCR-4EM具备多项先进的技术和性能特性。首先，该芯片采用了低电压设计（1.2V），有效降低了功耗，同时减少了热量产生，有助于提升设备的能效和稳定性。其次，其高数据速率达到3200Mbps/pin，能够显著提升内存带宽，满足高性能计算和数据密集型任务的需求。此外，H8BFS0WU0MCR-4EM采用x16的数据总线宽度，提高了数据传输的效率和可靠性。该芯片还具备出色的温度适应能力，可在0°C至85°C的宽温度范围内稳定工作，适用于各种严苛的工作环境。FBGA封装形式不仅提供了良好的散热性能，还能节省空间，适用于高密度主板设计。最后，H8BFS0WU0MCR-4EM符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的制造需求。
H8BFS0WU0MCR-4EM主要用于高性能计算设备、服务器、数据中心、图形工作站、高端个人电脑以及需要大容量高速内存的嵌入式系统。由于其出色的性能和稳定性，它也适用于工业自动化设备、通信基础设施和网络设备等领域。
H8BFS0WU0MCR-4EM可替代的型号包括H9HCNNNBKMUMR-4EM、H5AN8G8NAFR-UH、K3LGK2G1CA-0GC5等兼容性较好的DRAM芯片。
