时间：2025/9/2 6:01:49
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H8BCZ0CJ0MCR-36M-C 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高性能存储器产品系列。该型号设计用于需要高速数据访问和高存储密度的应用场景，例如嵌入式系统、网络设备、工业控制和消费类电子产品。该芯片采用先进的DRAM技术，提供高带宽和低延迟特性，以满足现代计算和数据处理需求。
容量：256MB
类型：DRAM
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作电压：1.8V至3.3V
时钟频率：166MHz
数据速率：333MHz（DDR）
接口类型：并行
数据宽度：16位
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
功耗：典型值为120mA（待机模式下低于10mA）
H8BCZ0CJ0MCR-36M-C具备多项显著特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其高速数据访问能力使其适用于需要大量数据吞吐的系统，如图像处理、视频缓冲和高速缓存应用。DDR（双倍数据速率）技术使数据传输速率达到时钟频率的两倍，从而提高了整体系统性能。此外，该芯片支持多种电压操作，增强了其在不同电源环境下的兼容性。
该DRAM芯片采用了TSOP封装技术，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合空间受限的应用场景。同时，其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了在工业环境下的稳定运行，适用于各种严苛条件下的应用。
另外，该芯片具有低功耗设计，尤其在待机模式下功耗极低，有助于延长电池供电设备的使用时间。这使得H8BCZ0CJ0MCR-36M-C在便携式电子设备、嵌入式系统和绿色能源应用中具有显著优势。
H8BCZ0CJ0MCR-36M-C广泛应用于多个行业和领域。在嵌入式系统中，它常用于作为主存储器或高速缓存，以提升系统的响应速度和处理能力。在网络设备中，该芯片可作为缓冲存储器，用于高速数据包的临时存储和转发，提高网络吞吐量和响应能力。
在工业控制领域，H8BCZ0CJ0MCR-36M-C可用于PLC（可编程逻辑控制器）和自动化设备中，作为数据存储和程序执行的临时存储单元。此外，在消费类电子产品中，如智能电视、游戏机和智能终端设备中，该芯片也常用于提供快速的内存访问能力，提升用户体验。
由于其高可靠性和宽温度范围的特性，该芯片也适用于车载电子系统、安防监控设备和通信基站等对稳定性要求较高的应用场景。
H8BCU0CB0MLR-36M-C, H8BCZ16A0MRR-36M-C
