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H8BCSOUNOMCR-46M-C 发布时间 时间:2025/9/1 18:27:38 查看 阅读:21

H8BCSOUNOMCR-46M-C 是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,通常用于嵌入式系统、网络设备、工业控制设备以及其他需要高性能存储解决方案的应用中。这款芯片具有高容量和低功耗的特点,适用于多种电子设备。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB
  数据速率:166MHz
  电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  数据宽度:16位
  温度范围:-40°C至+85°C

特性

H8BCSOUNOMCR-46M-C 芯片具备高性能和低功耗的特性,使其非常适合在资源受限的环境中使用。该芯片的高容量和可靠性使其成为许多工业应用的理想选择。此外,其宽温度范围确保了在极端环境下的稳定运行,而TSOP封装则有助于减少电路板空间占用并提高散热性能。
  该DRAM芯片还具备良好的数据保持能力,在刷新周期内能够有效保持存储数据的完整性。其166MHz的数据速率确保了快速的数据存取,满足实时应用的需求。此外,该芯片的2.3V至3.6V宽电压范围设计使其兼容多种电源管理系统,增加了设计的灵活性。
  在可靠性方面,H8BCSOUNOMCR-46M-C 经过严格测试,符合工业级标准,能够在恶劣环境下稳定工作。其TSOP封装不仅有助于提高机械稳定性,还能有效降低电磁干扰(EMI),从而提升系统的整体性能。

应用

H8BCSOUNOMCR-46M-C 常用于嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器、通信模块、消费类电子产品以及汽车电子系统。它特别适合需要高存储密度和低功耗的便携式设备,以及对可靠性要求较高的工业控制系统。

替代型号

H8BCSOUNOMCR-46M-C 的替代型号包括 H8BCSOUNOMCR-46M-C 的不同版本或其他兼容的DRAM芯片,如H8BCSOUNOMCR-46A-C 或 H8BCSOUNOMCR-46B-C。

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