时间：2025/9/2 2:19:25
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H8BCSOSJOBCR-4EM是Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于高性能计算、服务器和存储设备等应用。该型号属于特定封装和规格的DRAM模块，适用于需要高速数据访问和大容量内存的系统。H8BCSOSJOBCR-4EM的命名规则通常包含容量、速度、封装类型等信息，便于用户识别其性能和用途。
容量：1GB
类型：DRAM
封装类型：TSOP
工作电压：2.5V
接口类型：SDRAM
频率：166MHz
数据宽度：16位
温度范围：工业级温度范围（-40°C至+85°C）
H8BCSOSJOBCR-4EM是一款高性能的DRAM芯片，具有较高的数据传输速率和稳定性。其TSOP封装设计有助于减少封装尺寸，同时保持良好的散热性能，适用于空间受限的应用场景。该芯片的工作电压为2.5V，降低了功耗，同时保持了与标准SDRAM控制器的兼容性。H8BCSOSJOBCR-4EM支持166MHz的时钟频率，提供了166MHz的有效数据速率，适合需要高速访问的系统。其16位数据宽度设计能够提高数据吞吐量，适用于高性能计算和存储应用。此外，该芯片的工业级温度范围确保了其在各种环境条件下的稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。这些特性使H8BCSOSJOBCR-4EM成为服务器、网络设备、工业控制和嵌入式系统等领域的理想选择。
H8BCSOSJOBCR-4EM广泛应用于需要高性能和稳定存储的电子设备中。典型应用包括服务器和存储系统，用于提供高速数据缓存和临时存储。此外，它还适用于网络设备，如路由器和交换机，用于处理大量数据流量。在工业控制和嵌入式系统中，H8BCSOSJOBCR-4EM可用于支持复杂的计算任务和实时数据处理。其工业级温度范围使其能够在恶劣环境中稳定运行，确保系统的可靠性和耐用性。
H8BCSOSJOBCR-4EM的替代型号包括H8BCSOSJOBCR-4A0和H8BCSOSJOBCR-4S0，这些型号在性能和封装上与H8BCSOSJOBCR-4EM相似，适用于相同的应用场景。
