容量：128MB
　　数据总线宽度：16位
　　时钟频率：166MHz
　　存取时间：46MHz（反向对应tRC周期）
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　封装类型：BGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

H8BCSOQGOBAR-46M 是一款具有高性能和低功耗特性的DRAM芯片。其主要特性包括16位数据总线宽度，支持高速数据传输，适用于需要快速处理大量数据的系统。该芯片的时钟频率为166MHz，能够提供较高的带宽，满足实时数据处理需求。此外，其支持的宽电压范围（2.3V至3.6V）使其在不同电源环境下都能稳定运行，增强了系统的兼容性和可靠性。
　　该芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，有助于提高封装密度并减少信号干扰，从而提升整体性能。FBGA封装还具有良好的热传导性能，确保芯片在高负载运行时仍能保持稳定的温度。H8BCSOQGOBAR-46M 的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业和商业环境。
　　在功能方面，该DRAM芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，能够在系统空闲时降低功耗，延长设备的电池寿命，特别适合移动设备和便携式电子产品。

H8BCSOQGOBAR-46M 广泛应用于多种电子设备和系统中，包括工业控制设备、网络路由器、交换机、嵌入式系统、便携式电子产品（如PDA、手持终端设备）以及消费类电子产品（如智能电视、游戏机等）。其高速数据处理能力和低功耗设计使其成为对性能和能效有较高要求的应用场景的理想选择。在嵌入式系统中，它常用于存储运行时数据或作为缓存，提高系统响应速度和运行效率。

H8BCS0A005AR-46C
　　H8BCS0A005AR-46M