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H8BCS0SN0MCR-46M 发布时间 时间:2025/9/1 19:17:47 查看 阅读:2

H8BCS0SN0MCR-46M是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其移动DRAM产品线,主要用于移动设备,如智能手机和平板电脑。该芯片的容量为256MB,采用mBGA封装技术,具备低功耗特性,适合便携式电子设备的应用。

参数

容量:256MB
  类型:DRAM
  封装类型:mBGA
  时钟频率:166MHz
  电压:1.8V / 2.5V
  数据总线宽度:16位
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

H8BCS0SN0MCR-46M具备高性能和低功耗的特点,适用于移动设备中需要高效数据处理的应用场景。该芯片采用了先进的DRAM技术,能够提供稳定的数据传输速率,支持移动设备在多任务处理和高性能计算时的流畅运行。此外,其低电压设计有助于延长电池寿命,提升设备的续航能力。
  该芯片还具备较高的集成度,能够在有限的空间内提供足够的内存容量,适合现代移动设备对小型化和轻量化的需求。其工作温度范围较宽,能够在不同的环境条件下稳定运行,增强了设备的可靠性和适应性。

应用

H8BCS0SN0MCR-46M广泛应用于智能手机、平板电脑以及其他便携式电子设备中,作为主内存用于存储和处理操作系统、应用程序以及用户数据。此外,该芯片也可用于需要高速数据处理能力的嵌入式系统和消费类电子产品中,例如数字电视、机顶盒、游戏机等设备。

替代型号

H8BCS0SD0MCR-46M, H8BCS0SQ0MCR-46M

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