时间：2025/9/2 9:21:13
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H8BCS0SJ0BCR-4EM是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能的存储器件，广泛应用于需要大容量内存和高速数据处理的系统中。该型号的具体配置为x16位数据总线宽度，容量为256MB，工作频率为166MHz，并采用常见的TSOP封装形式，适用于各种嵌入式系统和工业设备。
容量：256MB
数据总线宽度：x16
工作频率：166MHz
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
电源电压：3.3V
存储类型：DRAM
刷新周期：64ms
访问时间：5.4ns
封装尺寸：54-pin
H8BCS0SJ0BCR-4EM具有多项高性能特性，适合复杂和高要求的应用场景。首先，其166MHz的工作频率支持高速数据存取，满足对系统响应速度有较高要求的设备需求。其次，该芯片采用了低功耗设计，在保持高性能的同时降低了功耗，适用于对能耗敏感的应用环境。此外，其工作温度范围宽广（-40°C至+85°C），可在工业级环境下稳定运行，适用于工业自动化、通信设备、网络设备等严苛环境。
该芯片的数据总线宽度为x16，提供了较高的数据吞吐能力，有助于提升系统的整体性能。54-pin TSOP封装设计不仅保证了良好的电气性能，同时也便于安装和散热。64ms的刷新周期确保了数据在断电前能够可靠地保持，同时5.4ns的访问时间进一步提高了内存的响应速度。最后，该芯片在设计上符合JEDEC标准，确保了与其他系统组件的兼容性。
H8BCS0SJ0BCR-4EM广泛应用于多种嵌入式系统和工业设备中。例如，它常用于工业自动化控制系统中，为PLC（可编程逻辑控制器）提供临时数据存储和高速缓存功能。在通信设备领域，该芯片可用于路由器、交换机等设备，支持数据包的快速转发和缓存。此外，它也适用于网络设备，如网络接入设备、视频监控系统等，以确保设备在高负载情况下的稳定运行。该芯片还可用于测试测量设备、医疗仪器、智能电表等场景，满足各种需要高速存储和稳定性能的设备需求。
H8BCS0SB0BFR-5H, HY57V641620BFC-6A
