H8BCS0SI0MBR-46M 时间：2025/9/2 9:37:40 阅读：26

H8BCS0SI0MBR-46M 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动式LPDDR4 SDRAM类别。该型号专为移动设备和高带宽需求的系统设计，提供较大的存储容量与高速数据传输能力。H8BCS0SI0MBR-46M采用BGA封装形式，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和空间有严格要求的应用场景。

参数

容量：8 Gb
　　组织结构：x16
　　电压：1.1V（核心电压）/1.8V（I/O电压）
　　时钟频率：最高可达1600MHz
　　数据速率：3200 Mbps
　　封装类型：BGA
　　封装尺寸：90-ball FBGA
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

H8BCS0SI0MBR-46M 是一款高性能的低功耗DDR4 SDRAM芯片，具有以下显著特性：
　　1. **低电压设计**：H8BCS0SI0MBR-46M 的核心电压为1.1V，I/O电压为1.8V，相比前代LPDDR3 SDRAM，显著降低了功耗，非常适合电池供电设备如智能手机和平板电脑使用。
　　2. **高速数据传输**：该芯片支持高达3200 Mbps的数据速率，能够满足高带宽应用的需求，如高清视频播放、大型游戏和多任务处理等场景。
　　3. **高容量存储**：该型号提供8Gb（1GB）的存储容量，采用x16位宽结构，适合需要大容量内存的便携式设备和嵌入式系统。
　　4. **先进的封装技术**：采用90-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，具有良好的电气性能和散热特性，同时节省PCB空间，适用于高密度设计。
　　5. **宽工作温度范围**：支持-40°C至+85°C的工作温度范围，适用于工业级和汽车级应用场景，确保在各种环境下的稳定运行。
　　6. **优化的电源管理**：具备多种低功耗模式，如自刷新、深度掉电模式等，进一步延长设备的电池续航时间。

应用

H8BCS0SI0MBR-46M 主要应用于以下领域：
　　1. **移动设备**：如智能手机、平板电脑等，提供高带宽和低功耗的内存支持，提升用户体验。
　　2. **嵌入式系统**：适用于需要高性能内存的嵌入式设备，如智能穿戴设备、无人机、AR/VR设备等。
　　3. **汽车电子**：可用于车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）等，满足汽车级对稳定性和温度范围的要求。
　　4. **工业控制设备**：适用于工业自动化控制设备、智能终端等需要高可靠性和低功耗的场景。
　　5. **消费类电子产品**：如数字电视、机顶盒、便携式游戏机等，提升多媒体处理能力和系统响应速度。