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H8BCS0SI0MBR-46M 发布时间 时间:2025/9/2 9:37:40 查看 阅读:10

H8BCS0SI0MBR-46M 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动式LPDDR4 SDRAM类别。该型号专为移动设备和高带宽需求的系统设计,提供较大的存储容量与高速数据传输能力。H8BCS0SI0MBR-46M采用BGA封装形式,适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和空间有严格要求的应用场景。

参数

容量:8 Gb
  组织结构:x16
  电压:1.1V(核心电压)/1.8V(I/O电压)
  时钟频率:最高可达1600MHz
  数据速率:3200 Mbps
  封装类型:BGA
  封装尺寸:90-ball FBGA
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

H8BCS0SI0MBR-46M 是一款高性能的低功耗DDR4 SDRAM芯片,具有以下显著特性:
  1. **低电压设计**:H8BCS0SI0MBR-46M 的核心电压为1.1V,I/O电压为1.8V,相比前代LPDDR3 SDRAM,显著降低了功耗,非常适合电池供电设备如智能手机和平板电脑使用。
  2. **高速数据传输**:该芯片支持高达3200 Mbps的数据速率,能够满足高带宽应用的需求,如高清视频播放、大型游戏和多任务处理等场景。
  3. **高容量存储**:该型号提供8Gb(1GB)的存储容量,采用x16位宽结构,适合需要大容量内存的便携式设备和嵌入式系统。
  4. **先进的封装技术**:采用90-ball FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装,具有良好的电气性能和散热特性,同时节省PCB空间,适用于高密度设计。
  5. **宽工作温度范围**:支持-40°C至+85°C的工作温度范围,适用于工业级和汽车级应用场景,确保在各种环境下的稳定运行。
  6. **优化的电源管理**:具备多种低功耗模式,如自刷新、深度掉电模式等,进一步延长设备的电池续航时间。

应用

H8BCS0SI0MBR-46M 主要应用于以下领域:
  1. **移动设备**:如智能手机、平板电脑等,提供高带宽和低功耗的内存支持,提升用户体验。
  2. **嵌入式系统**:适用于需要高性能内存的嵌入式设备,如智能穿戴设备、无人机、AR/VR设备等。
  3. **汽车电子**:可用于车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)等,满足汽车级对稳定性和温度范围的要求。
  4. **工业控制设备**:适用于工业自动化控制设备、智能终端等需要高可靠性和低功耗的场景。
  5. **消费类电子产品**:如数字电视、机顶盒、便携式游戏机等,提升多媒体处理能力和系统响应速度。

替代型号

H8BCS0SD0MBR-46M,H8BCS0S80MBR-46M,IS43S16800B4-46BL

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