H8BCS0QG0MMR 是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用先进的制造工艺,提供大容量和高速数据访问能力,适用于需要高效能内存的嵌入式系统和工业设备。
容量:256MB
组织方式:x16
电压:1.8V
接口类型:并行
时钟频率:166MHz
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:TSOP
数据宽度:16位
CAS延迟:5.4ns
封装尺寸:54mm x 44mm
H8BCS0QG0MMR 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,专为嵌入式系统和工业应用设计。其主要特性包括高容量、低电压操作和出色的稳定性。
首先,该芯片的容量为256MB,采用x16位宽的组织方式,适合需要大容量内存的高性能计算应用。这种配置能够有效提升数据吞吐量,并支持更复杂的软件运行。
其次,H8BCS0QG0MMR 的工作电压为1.8V,相比传统3.3V的DRAM芯片,功耗显著降低,非常适合对功耗敏感的嵌入式设备和电池供电系统。低电压设计也有助于减少热量产生,提高系统的稳定性。
此外,该芯片的接口为并行模式,支持166MHz的时钟频率,提供高速数据访问能力。其CAS延迟为5.4ns,能够满足大多数嵌入式和工业设备对内存响应速度的需求,确保系统运行的流畅性。
在环境适应性方面,H8BCS0QG0MMR 的工作温度范围为-40°C至+85°C,具备良好的耐高温和耐低温能力,适用于各种恶劣工业环境。其TSOP封装形式(54mm x 44mm)具有良好的机械稳定性和热稳定性,便于安装和维护。
综合来看,H8BCS0QG0MMR 是一款性能稳定、功耗低、适用于工业级应用的DRAM芯片,广泛用于嵌入式系统、工业计算机、网络设备和消费类电子产品中。
H8BCS0QG0MMR 常用于嵌入式系统、工业计算机、网络设备、视频监控系统、智能家电以及各种需要高性能内存的电子设备中。
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