H8BCS0QG0MMR 时间：2025/9/2 3:36:20 阅读：18

H8BCS0QG0MMR 是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的制造工艺，提供大容量和高速数据访问能力，适用于需要高效能内存的嵌入式系统和工业设备。

参数

容量：256MB
　　组织方式：x16
　　电压：1.8V
　　接口类型：并行
　　时钟频率：166MHz
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP
　　数据宽度：16位
　　CAS延迟：5.4ns
　　封装尺寸：54mm x 44mm

特性

H8BCS0QG0MMR 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，专为嵌入式系统和工业应用设计。其主要特性包括高容量、低电压操作和出色的稳定性。
　　首先，该芯片的容量为256MB，采用x16位宽的组织方式，适合需要大容量内存的高性能计算应用。这种配置能够有效提升数据吞吐量，并支持更复杂的软件运行。
　　其次，H8BCS0QG0MMR 的工作电压为1.8V，相比传统3.3V的DRAM芯片，功耗显著降低，非常适合对功耗敏感的嵌入式设备和电池供电系统。低电压设计也有助于减少热量产生，提高系统的稳定性。
　　此外，该芯片的接口为并行模式，支持166MHz的时钟频率，提供高速数据访问能力。其CAS延迟为5.4ns，能够满足大多数嵌入式和工业设备对内存响应速度的需求，确保系统运行的流畅性。
　　在环境适应性方面，H8BCS0QG0MMR 的工作温度范围为-40°C至+85°C，具备良好的耐高温和耐低温能力，适用于各种恶劣工业环境。其TSOP封装形式（54mm x 44mm）具有良好的机械稳定性和热稳定性，便于安装和维护。
　　综合来看，H8BCS0QG0MMR 是一款性能稳定、功耗低、适用于工业级应用的DRAM芯片，广泛用于嵌入式系统、工业计算机、网络设备和消费类电子产品中。