时间：2025/7/2 16:22:52
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H7N1004LM 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频开关和功率转换应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。H7N1004LM 的设计使其在多种电子设备中表现出色，如电源适配器、DC-DC 转换器以及电机驱动等。其封装形式通常为 TO-220 或 SMD 封装，方便安装和散热。
最大漏源电压：400V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.15Ω
栅极电荷：35nC
总功耗：80W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
切换频率：高达 500kHz
H7N1004LM 具有出色的电气性能和可靠性。其主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率；高击穿电压能够适应高压环境下的应用需求；同时具备快速开关能力，从而减少了开关损耗。此外，它还拥有良好的热稳定性和抗电磁干扰能力，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
该器件采用先进的制造工艺，在保证高效的同时也延长了使用寿命。由于其卓越的动态性能和静态参数，H7N1004LM 成为了众多功率转换电路中的理想选择。
H7N1004LM 广泛应用于多个领域，包括但不限于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、工业控制设备、汽车电子系统以及家用电器中的电机驱动部分。凭借其高耐压能力和快速响应特性，这款 MOSFET 在需要高效能功率管理的场景下表现尤为突出。
IRF840, STP10NM50, FQP12N50
