时间：2025/12/27 0:55:04
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H7EC-NV-B 是一款由韩国Hynix（现为SK hynix）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）模块，主要用于服务器、工作站以及高性能计算系统中。该型号属于DDR4 ECC Registered DIMM内存条系列，具备错误校正功能（ECC），能够在数据读写过程中检测并修正单比特错误，从而显著提升系统的稳定性和可靠性，特别适用于对数据完整性要求极高的应用场景。H7EC-NV-B采用先进的封装技术与内存颗粒制造工艺，工作电压通常为1.2V，符合JEDEC标准规范，支持低功耗运行，有助于降低整体系统能耗。其设计注重散热性能与电气稳定性，在长时间高负载运行下仍能保持良好的工作状态。此外，该内存模块经过严格测试，确保在各种复杂环境下均能稳定工作，广泛应用于企业级服务器平台如Dell、HP、Lenovo等OEM厂商的机型中，并兼容主流芯片组架构。
类型：DDR4 ECC Registered DIMM
容量：32GB
速度等级：2666 MT/s
工作电压：1.2V
引脚数：288-pin
时序：CL19
数据宽度：x4或x8（取决于具体配置）
是否带ECC：是
是否Registered：是
工作温度范围：0°C 至 +85°C
存储温度范围：-40°C 至 +95°C
符合RoHS环保标准：是
H7EC-NV-B具备卓越的错误检测与纠正能力，通过集成ECC（Error Correction Code）技术，能够实时检测并自动修复单比特内存错误，有效防止因内存故障导致的系统崩溃或数据损坏，极大提升了关键任务系统的运行可靠性。
该内存模块采用Registered（寄存式）架构，内置地址/命令缓冲器，减轻了内存控制器的电气负载，使得系统可以支持更高容量和更多内存插槽的配置，非常适合多路CPU和大内存需求的企业级服务器使用。
其运行频率为2666 MT/s，提供较高的数据传输带宽，满足大数据处理、虚拟化、数据库服务等高吞吐量应用的需求。同时，1.2V的低工作电压相较于前代DDR3产品进一步降低了功耗，提高了能效比，有助于构建绿色节能的数据中心环境。
H7EC-NV-B使用的内存颗粒来自SK hynix自研的高品质DRAM芯片，具备良好的兼容性和稳定性，经过严格的筛选和老化测试，确保在长期运行中的耐久性与一致性。
该模块遵循JEDEC标准定义的物理尺寸与电气接口规范，可广泛兼容Intel Xeon Scalable处理器平台及配套的服务器主板，支持主流BIOS和操作系统识别与配置。此外，其PCB板采用高质量材料与多层布线设计，优化信号完整性，减少电磁干扰，提升高频工作的稳定性。
主要应用于企业级服务器、数据中心、云计算平台、大型数据库系统、虚拟化主机、高性能计算（HPC）集群以及需要高可靠性和大内存容量的关键业务系统中。适用于Dell PowerEdge、HPE ProLiant、Lenovo ThinkSystem等品牌服务器的内存扩展升级，也可用于工作站级设备以支持专业级应用如AI训练、视频渲染和科学模拟等场景。
HMA84GR7CJR4N-UH
HMA84GR7AFR4N-XN
HMA84GR7MJR4N-UH
