容量：16MB
　　组织结构：x16
　　工作电压：5V
　　访问时间：5.4ns
　　时钟频率：最大166MHz
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：0°C至70°C
　　数据保持电压：3.135V至3.6V

H64F2215TE16 DRAM芯片具有多个显著的性能特性。首先，其5.4ns的访问时间使得该芯片能够在高速数据存取应用中表现良好，适用于需要快速响应的系统。此外，该芯片支持异步操作，允许在不依赖系统时钟的情况下进行数据读写，提高了灵活性。TSOP封装设计不仅减小了封装尺寸，还降低了封装高度，适合空间受限的应用场景。H64F2215TE16还具备低功耗特性，适用于对能耗敏感的设备。其工作电压为5V，数据保持电压范围为3.135V至3.6V，确保了在不同电源条件下数据的稳定性。此外，该芯片符合工业标准的电气和机械规范，可广泛用于多种电子系统中。
　　在可靠性方面，H64F2215TE16通过了严格的测试和验证，确保在长期运行中保持稳定的性能。其工作温度范围为0°C至70°C，适用于一般的工业环境。54引脚的封装设计简化了电路板布局，同时提供了良好的电气连接和散热性能。这些特性使得H64F2215TE16成为早期计算机内存、工业控制器、嵌入式系统以及其他需要高性能DRAM解决方案的理想选择。

H64F2215TE16 DRAM芯片广泛应用于多个领域。在计算机系统中，它常用于早期的PC主板、服务器内存模块以及图形加速卡等设备中，作为高速缓存或主存储器使用。在工业自动化领域，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业计算机以及数据采集系统，以支持实时数据处理和存储。此外，H64F2215TE16也适用于网络设备、通信模块以及嵌入式系统，提供可靠的内存支持。由于其低功耗和高稳定性，该芯片还被用于一些便携式设备和消费电子产品中，如老式的游戏机、数字电视和多媒体播放器。无论是在工业控制还是消费类电子产品中，H64F2215TE16都能提供稳定的存储性能，满足不同应用的需求。

H64F2215TE16的替代型号包括H64F2215TFR、H64F2215TFF、H64F2215TC16、H64F2215TC10、H64F2215TCL、H64F2215TCLB、H64F2215TCLC、H64F2215TCLD、H64F2215TCLS、H64F2215TCLT等。