容量：8GB
　　内存类型：HBM2E
　　带宽：460GB/s
　　封装类型：3D堆叠TSV（Through Silicon Via）
　　电压：1.3V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　接口：宽I/O接口
　　制造工艺：基于SK Hynix先进DRAM技术

H5WRAGESM8W-N8L 作为HBM2E内存技术的代表产品，具备多项显著特性。首先，其3D堆叠结构通过硅通孔（TSV）技术将多个DRAM芯片垂直连接，从而在极小的物理空间内实现了高容量和高带宽。这种结构显著降低了内存访问延迟并提升了能效比。
　　其次，该芯片支持高达460GB/s的带宽，远超传统GDDR或DDR内存，能够满足GPU、AI加速器等对数据吞吐量要求极高的应用场景。此外，其低电压设计（1.3V）不仅降低了功耗，也增强了芯片在高负载下的热稳定性。
　　该芯片还具备出色的可靠性和稳定性，适用于工业级和企业级应用场景。其工作温度范围宽广（-40°C至+85°C），确保在各种复杂环境下均可正常运行。同时，HBM2E规范下的H5WRAGESM8W-N8L 支持高级错误校正、刷新管理和数据完整性校验功能，进一步提升了系统稳定性与数据可靠性。
　　最后，H5WRAGESM8W-N8L 的宽I/O接口设计使得其能够与GPU或FPGA等主控芯片直接通过中介层（Interposer）互联，减少了PCB布线复杂度，并提升了信号完整性和系统集成度。

H5WRAGESM8W-N8L 主要应用于需要极高内存带宽和紧凑封装的高端计算设备。例如，该芯片广泛用于高性能图形处理单元（GPU），如NVIDIA和AMD的旗舰级显卡，以支持复杂的图形渲染和实时计算任务。在人工智能和深度学习领域，该内存芯片为AI加速器提供了快速的数据访问能力，从而显著提升了神经网络训练和推理的效率。
　　此外，该芯片也适用于高性能计算（HPC）系统，如超级计算机和数据中心加速卡，用于处理大规模科学计算、流体动力学模拟以及大规模数据分析等任务。其高带宽和低延迟特性使其成为需要实时数据处理的边缘计算设备的理想选择。
　　随着HBM技术的发展，H5WRAGESM8W-N8L 也被用于新一代的FPGA加速卡、网络交换芯片以及先进驾驶辅助系统（ADAS）中的视觉处理模块，为这些应用提供稳定、高效的内存支持。

H5WRAG4SM8W-N8L