时间：2025/6/30 9:51:53
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H5VLD3BA是东芝公司生产的一款功率MOSFET芯片，主要应用于高效能开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高耐压的特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：1.2A
导通电阻（典型值）：700mΩ
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：8W
工作温度范围：-55℃~150℃
H5VLD3BA采用了东芝专有的U-MOS IX系列技术，具备以下显著特点：
1. 低导通电阻：在保证高耐压的同时，其导通电阻仅为700mΩ（典型值），有助于减少能量损耗。
2. 高可靠性：经过严格的测试流程，确保在各种恶劣环境下稳定运行。
3. 快速开关性能：具有较低的输入电容和输出电荷，从而实现快速开关，进一步提升效率。
4. 小封装设计：采用DPAK（TO-252）封装形式，节省电路板空间且便于安装。
5. 安全工作区宽广：支持较高的瞬态电压和电流冲击，增强了应用中的安全性和耐用性。
H5VLD3BA广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC或DC-DC转换器中，提供高效的功率转换。
2. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制。
3. LED驱动器：为LED照明系统提供精确的电流调节。
4. 电池保护电路：用于防止过充、过放及短路等异常情况。
5. 其他便携式电子设备：如充电器、适配器等需要高效功率管理的场合。
H5VLG3BA
H5VLD3BA-SL
