H5VLD3BA是东芝公司生产的一款功率MOSFET芯片,主要应用于高效能开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高耐压的特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:600V
最大连续漏极电流:1.2A
导通电阻(典型值):700mΩ
栅极阈值电压:2V~4V
总功耗:8W
工作温度范围:-55℃~150℃
H5VLD3BA采用了东芝专有的U-MOS IX系列技术,具备以下显著特点:
1. 低导通电阻:在保证高耐压的同时,其导通电阻仅为700mΩ(典型值),有助于减少能量损耗。
2. 高可靠性:经过严格的测试流程,确保在各种恶劣环境下稳定运行。
3. 快速开关性能:具有较低的输入电容和输出电荷,从而实现快速开关,进一步提升效率。
4. 小封装设计:采用DPAK(TO-252)封装形式,节省电路板空间且便于安装。
5. 安全工作区宽广:支持较高的瞬态电压和电流冲击,增强了应用中的安全性和耐用性。
H5VLD3BA广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC转换器中,提供高效的功率转换。
2. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制。
3. LED驱动器:为LED照明系统提供精确的电流调节。
4. 电池保护电路:用于防止过充、过放及短路等异常情况。
5. 其他便携式电子设备:如充电器、适配器等需要高效功率管理的场合。
H5VLG3BA
H5VLD3BA-SL