容量：8GB
　　电压：1.8V / 3.3V
　　封装类型：BGA
　　数据速率：166MHz
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　接口类型：并行接口
　　内存类型：DRAM
　　厂商：SK Hynix

H5TQ8G83BMR-RDC作为一款高性能低功耗DRAM芯片，具有多个显著特性。首先，它采用了低电压供电设计，通常支持1.8V和3.3V双电源电压，从而在保证运行稳定性的同时降低能耗，这使其特别适合用于电池供电设备。其次，该芯片的数据传输速率为166MHz，能够满足中高端嵌入式系统对快速数据处理的需求。
　　此外，H5TQ8G83BMR-RDC采用BGA（球栅阵列）封装技术，不仅提高了封装密度，还增强了芯片的电气性能和散热能力，从而提升了整体的可靠性。其标准工作温度范围为-40°C至+85°C，适应多种严苛环境条件下的稳定运行。
　　这款DRAM芯片还具备标准的并行接口设计，兼容多种控制器，简化了系统集成的复杂度。同时，其存储容量高达8GB，为设备提供了充足的临时数据存储空间，适用于图形处理、缓存存储和高速数据缓存等应用。

H5TQ8G83BMR-RDC主要应用于需要高效能与低功耗并存的电子设备中。在移动设备领域，如智能手机和平板电脑中，该芯片可作为主内存使用，提升系统运行速度并优化电池续航能力。在嵌入式系统中，例如工业控制设备、智能穿戴设备和物联网（IoT）终端，该芯片能够为系统提供稳定的内存支持。
　　此外，H5TQ8G83BMR-RDC也广泛应用于消费类电子产品，如数字电视、机顶盒、多媒体播放器等，用于处理图像、音频和视频数据，提升设备的多媒体性能。在汽车电子领域，该芯片可用于车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS），确保系统在复杂环境下稳定运行。
　　由于其高可靠性和宽温工作范围，H5TQ8G83BMR-RDC也适用于一些工业级和车载级设备，为关键任务提供持续的内存支持。

H5TQ8G83BFR-RDC, H5TQ8G83AFR-RDC