H5TQ8G83AMR-H9C 是一款由SK Hynix(海力士)制造的高密度、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)系列。该芯片主要用于高性能移动设备、嵌入式系统、平板电脑和智能电视等应用场合。H5TQ8G83AMR-H9C 提供了较大的存储容量和高速的数据传输能力,同时在功耗方面进行了优化,非常适合对电池续航能力有较高要求的设备。
容量:8Gb
类型:LPDDR4 SDRAM
数据速率:3200Mbps
电压:1.1V / 2.5V
封装类型:FBGA
引脚数:151
工作温度:-40°C 至 +85°C
组织结构:x8
时钟频率:1600MHz
数据预取:2n-Prefetch
封装尺寸:9mm x 11mm
H5TQ8G83AMR-H9C 作为一款低功耗DDR4 SDRAM芯片,具备多项先进的技术特性。首先,其低电压设计(1.1V 核心电压和2.5V I/O 电压)显著降低了功耗,延长了移动设备的电池寿命。其次,该芯片的数据传输速率高达3200Mbps,支持快速的数据访问和处理,提升了系统的整体性能。此外,该芯片采用151引脚的FBGA(细间距球栅阵列)封装,具有良好的散热性能和较高的封装密度,适用于空间受限的高密度电路板设计。
该芯片的存储容量为8Gb,采用x8的数据组织方式,适合用于需要高带宽内存的应用场景。其1600MHz的时钟频率支持双倍数据速率传输,能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据,从而提高数据吞吐量。H5TQ8G83AMR-H9C 的工作温度范围为-40°C 至 +85°C,适用于各种工业环境下的稳定运行。此外,该芯片支持2n-Prefetch架构,能够提高内存访问效率,降低延迟。这些特性使得H5TQ8G83AMR-H9C 在高性能计算、移动设备、嵌入式系统和消费类电子产品中具有广泛的应用前景。
H5TQ8G83AMR-H9C 广泛应用于需要高性能、低功耗内存的设备中。首先,在智能手机和平板电脑等移动设备中,该芯片可以作为主内存(RAM),支持多任务处理、快速应用启动和流畅的图形渲染,提升用户体验。其次,在嵌入式系统中,如工业控制、车载导航和智能穿戴设备,H5TQ8G83AMR-H9C 能够提供可靠的数据存储和快速的处理能力,满足复杂任务的执行需求。
此外,该芯片也适用于高端消费电子产品,如智能电视、游戏机和AR/VR设备,支持高分辨率视频播放和实时图形渲染。在物联网(IoT)设备中,H5TQ8G83AMR-H9C 的低功耗特性有助于延长设备的电池续航时间,并支持稳定的网络连接和数据处理能力。在工业自动化和智能安防系统中,该芯片可用于高速数据缓存和图像处理,提升系统的响应速度和稳定性。总之,H5TQ8G83AMR-H9C 凭借其高性能、低功耗和紧凑封装,成为多种电子设备的理想内存解决方案。
H5TQ8G83AFR-H9C, H5TQ8G83AMR-PBC, H5TC8G63AMR-H9C