H5TQ8G83AMR-H9C 时间：2025/9/2 6:01:25 阅读：23

H5TQ8G83AMR-H9C 是一款由SK Hynix（海力士）制造的高密度、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列。该芯片主要用于高性能移动设备、嵌入式系统、平板电脑和智能电视等应用场合。H5TQ8G83AMR-H9C 提供了较大的存储容量和高速的数据传输能力，同时在功耗方面进行了优化，非常适合对电池续航能力有较高要求的设备。

参数

容量：8Gb
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　数据速率：3200Mbps
　　电压：1.1V / 2.5V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：151
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　组织结构：x8
　　时钟频率：1600MHz
　　数据预取：2n-Prefetch
　　封装尺寸：9mm x 11mm
　　

特性

H5TQ8G83AMR-H9C 作为一款低功耗DDR4 SDRAM芯片，具备多项先进的技术特性。首先，其低电压设计（1.1V 核心电压和2.5V I/O 电压）显著降低了功耗，延长了移动设备的电池寿命。其次，该芯片的数据传输速率高达3200Mbps，支持快速的数据访问和处理，提升了系统的整体性能。此外，该芯片采用151引脚的FBGA（细间距球栅阵列）封装，具有良好的散热性能和较高的封装密度，适用于空间受限的高密度电路板设计。
　　该芯片的存储容量为8Gb，采用x8的数据组织方式，适合用于需要高带宽内存的应用场景。其1600MHz的时钟频率支持双倍数据速率传输，能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，从而提高数据吞吐量。H5TQ8G83AMR-H9C 的工作温度范围为-40°C 至 +85°C，适用于各种工业环境下的稳定运行。此外，该芯片支持2n-Prefetch架构，能够提高内存访问效率，降低延迟。这些特性使得H5TQ8G83AMR-H9C 在高性能计算、移动设备、嵌入式系统和消费类电子产品中具有广泛的应用前景。

应用

H5TQ8G83AMR-H9C 广泛应用于需要高性能、低功耗内存的设备中。首先，在智能手机和平板电脑等移动设备中，该芯片可以作为主内存（RAM），支持多任务处理、快速应用启动和流畅的图形渲染，提升用户体验。其次，在嵌入式系统中，如工业控制、车载导航和智能穿戴设备，H5TQ8G83AMR-H9C 能够提供可靠的数据存储和快速的处理能力，满足复杂任务的执行需求。
　　此外，该芯片也适用于高端消费电子产品，如智能电视、游戏机和AR/VR设备，支持高分辨率视频播放和实时图形渲染。在物联网（IoT）设备中，H5TQ8G83AMR-H9C 的低功耗特性有助于延长设备的电池续航时间，并支持稳定的网络连接和数据处理能力。在工业自动化和智能安防系统中，该芯片可用于高速数据缓存和图像处理，提升系统的响应速度和稳定性。总之，H5TQ8G83AMR-H9C 凭借其高性能、低功耗和紧凑封装，成为多种电子设备的理想内存解决方案。