H5TQ8G63AMR是一款由SK海力士(SK Hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能存储器件,广泛应用于嵌入式系统、智能手机、平板电脑以及其他消费类电子产品中。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺,具备高速数据访问能力以及低功耗特性,适用于需要大量数据缓存和快速处理的应用场景。
名称:H5TQ8G63AMR
制造商:SK Hynix
类型:DRAM
容量:8 Gb(Gigabit)
封装类型:BGA(Ball Grid Array)
接口:LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)
电压:1.1V(核心电压)/1.8V(I/O电压)
数据速率:3200 Mbps(兆位每秒)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H5TQ8G63AMR具备多项先进的技术特性,首先其采用LPDDR4接口标准,支持高达3200 Mbps的数据传输速率,能够满足高性能计算和数据密集型应用的需求。该芯片的低功耗设计使其在移动设备中表现尤为出色,有助于延长电池寿命。此外,该DRAM芯片采用先进的封装技术,确保了在高密度集成设计中的稳定性和可靠性。芯片内部采用多bank架构,支持并发操作,提高存储效率,并具备自刷新和深度掉电模式,以进一步降低功耗。该器件还支持多种温度等级,能够在广泛的环境条件下稳定运行,适用于工业级和消费级应用场景。
H5TQ8G63AMR的BGA封装形式提供了良好的电气性能和散热能力,适合在高频率工作条件下使用。其紧凑的封装尺寸也有助于节省PCB空间,使其适用于空间受限的便携式设备。此外,该芯片内置错误校正机制(ECC)支持,确保数据完整性,提高系统的稳定性和可靠性。
H5TQ8G63AMR广泛应用于各类需要高性能、低功耗内存的电子设备中。典型应用包括高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统(IVI)、工业控制设备以及嵌入式计算模块。由于其高速数据处理能力和低功耗特性,它也非常适合用于图形处理、视频编解码、人工智能加速计算等需要大量缓存的场景。此外,该芯片在服务器和网络设备中也常用于提供临时数据存储,以提升整体系统性能。
H5TQ8G63AMR-H92A, H5TQ8G63AMR-PB, H5TQ1G63AFR, H5TQ2G63FFR