H5TQ8G63AMR 时间：2025/9/1 18:51:49 阅读：20

H5TQ8G63AMR是一款由SK海力士（SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能存储器件，广泛应用于嵌入式系统、智能手机、平板电脑以及其他消费类电子产品中。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具备高速数据访问能力以及低功耗特性，适用于需要大量数据缓存和快速处理的应用场景。

参数

名称：H5TQ8G63AMR
　　制造商：SK Hynix
　　类型：DRAM
　　容量：8 Gb（Gigabit）
　　封装类型：BGA（Ball Grid Array）
　　接口：LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）
　　电压：1.1V（核心电压）/1.8V（I/O电压）
　　数据速率：3200 Mbps（兆位每秒）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

H5TQ8G63AMR具备多项先进的技术特性，首先其采用LPDDR4接口标准，支持高达3200 Mbps的数据传输速率，能够满足高性能计算和数据密集型应用的需求。该芯片的低功耗设计使其在移动设备中表现尤为出色，有助于延长电池寿命。此外，该DRAM芯片采用先进的封装技术，确保了在高密度集成设计中的稳定性和可靠性。芯片内部采用多bank架构，支持并发操作，提高存储效率，并具备自刷新和深度掉电模式，以进一步降低功耗。该器件还支持多种温度等级，能够在广泛的环境条件下稳定运行，适用于工业级和消费级应用场景。
　　H5TQ8G63AMR的BGA封装形式提供了良好的电气性能和散热能力，适合在高频率工作条件下使用。其紧凑的封装尺寸也有助于节省PCB空间，使其适用于空间受限的便携式设备。此外，该芯片内置错误校正机制（ECC）支持，确保数据完整性，提高系统的稳定性和可靠性。

应用

H5TQ8G63AMR广泛应用于各类需要高性能、低功耗内存的电子设备中。典型应用包括高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备以及嵌入式计算模块。由于其高速数据处理能力和低功耗特性，它也非常适合用于图形处理、视频编解码、人工智能加速计算等需要大量缓存的场景。此外，该芯片在服务器和网络设备中也常用于提供临时数据存储，以提升整体系统性能。