时间：2025/9/2 11:28:53
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H5TQ4G83EFR-RDC 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于高带宽存储器类别，适用于需要高性能和大容量内存的应用场景，如高性能计算、图形处理以及网络设备等。该芯片采用了先进的制造工艺，以确保在高频运行下的稳定性和低功耗。H5TQ4G83EFR-RDC 是一款8GB容量的GDDR6（Graphics Double Data Rate 6）内存芯片，工作电压为1.35V，具有高数据传输速率。
容量：8GB
电压：1.35V
数据速率：14Gbps
封装类型：FBGA
接口类型：GDDR6
时钟频率：7Gbps
数据总线宽度：32位
工作温度范围：0°C至+85°C
H5TQ4G83EFR-RDC 的主要特性包括其高性能和低功耗设计。该芯片支持高达14Gbps的数据传输速率，使其成为需要快速数据处理的应用的理想选择。此外，该芯片采用了低电压设计（1.35V），以减少功耗并提高能效。其32位宽的数据总线允许高效的数据传输，适用于图形处理和高性能计算任务。该芯片的封装类型为FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），有助于提高封装密度并降低信号噪声。此外，其工作温度范围为0°C至+85°C，使其能够在各种环境条件下稳定运行。
为了确保高可靠性和稳定性，H5TQ4G83EFR-RDC 还具备多种内部校正和纠错功能，如自动刷新和自刷新模式，以防止数据丢失，并在不同温度条件下保持数据完整性。此外，该芯片还支持多种电源管理模式，以在闲置或低负载条件下降低功耗。
H5TQ4G83EFR-RDC 主要用于高端图形处理、游戏显卡、人工智能加速器、网络设备和服务器等高性能计算设备中。其高带宽和低延迟特性使其特别适合需要大量数据处理的应用，如深度学习、实时渲染和视频处理。此外，该芯片也可用于高端工作站和计算加速卡，以满足对内存性能有极高要求的专业应用场景。其低功耗特性也使其适用于对能效要求较高的数据中心和嵌入式系统。
H5TQ4G83EFR-RDC的替代型号包括H5TQ4G83EFR-RD、H5TQ4G83EFR-RLC、H5TQ4G83EFR-RDB
