H5TQ4G83BFR 时间：2025/9/1 18:22:05 阅读：16

H5TQ4G83BFR是一款由SK Hynix生产的高密度DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别，主要用于低功耗应用场景，如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具备较高的存储容量和能效比，支持移动设备在高性能与低功耗之间的平衡。H5TQ4G83BFR采用BGA（球栅阵列）封装形式，适用于紧凑型主板设计。

参数

类型: DRAM
　　子类: 移动DRAM (Mobile DRAM)
　　容量: 4Gb (512MB)
　　数据宽度: x8
　　电压: 1.5V / 1.35V
　　接口: 通用DRAM接口
　　封装类型: BGA
　　工作温度范围: -40°C ~ +85°C

特性

H5TQ4G83BFR具备低电压运行特性，能够在1.5V或1.35V下工作，显著降低功耗，延长移动设备的电池续航时间。该芯片支持多种低功耗模式，包括自刷新（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），以进一步优化能耗。在性能方面，H5TQ4G83BFR具备较高的数据传输速率和稳定性，适用于对内存带宽有较高要求的应用场景。此外，该芯片采用了小型化的BGA封装，有助于节省PCB空间，提高主板布局的灵活性。H5TQ4G83BFR还具备良好的温度适应性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行，适合各种严苛环境下的应用需求。
　　在数据完整性方面，H5TQ4G83BFR采用了先进的刷新机制和错误检测技术，确保数据在长时间运行中的可靠性。其自刷新模式可以在设备休眠时保持数据不丢失，同时减少功耗。此外，该芯片支持多种频率配置，可根据具体应用场景调整性能与功耗的平衡。H5TQ4G83BFR的设计兼容多种主流移动处理器平台，具备广泛的适用性和良好的系统集成性。

应用

H5TQ4G83BFR广泛应用于各类移动电子设备中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它也适用于需要高性能、低功耗内存的嵌入式系统，如工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）、智能家电和物联网（IoT）设备。此外，该芯片还可用于网络通信设备、手持式医疗设备和便携式消费电子产品，满足这些设备对内存容量和能效的双重需求。