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H5TQ4G83AFRPBC 发布时间 时间:2025/9/2 0:33:10 查看 阅读:7

H5TQ4G83AFRPBC是一款由SK海力士(SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高带宽内存解决方案,适用于需要高速数据处理的应用场景。H5TQ4G83AFRPBC的封装形式为FBGA,具有较高的存储密度和较低的功耗,适用于嵌入式系统和计算设备。

参数

容量:4GB
  类型:DRAM
  封装形式:FBGA
  工作电压:1.2V
  接口类型:LPDDR4
  数据速率:3200Mbps
  数据宽度:16位
  时钟频率:1600MHz
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

H5TQ4G83AFRPBC是一款高性能的LPDDR4 DRAM芯片,具有低功耗、高带宽和高集成度的特点。其1.2V的工作电压设计有助于降低整体功耗,使其非常适合用于电池供电设备。该芯片支持高速数据传输,数据速率达到3200Mbps,能够满足现代高性能计算和图形处理的需求。
  此外,H5TQ4G83AFRPBC采用了先进的制造工艺,具备良好的稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内正常工作。其16位的数据宽度设计有助于提升数据传输效率,减少系统延迟,提高整体性能。FBGA封装形式不仅有助于提高散热性能,还能节省PCB空间,适用于紧凑型电子设备的设计。
  这款DRAM芯片广泛应用于移动设备、嵌入式系统、网络设备以及工业控制设备中,能够为这些设备提供高效、稳定的数据存储与处理能力。

应用

H5TQ4G83AFRPBC主要应用于需要高性能内存的设备,如智能手机、平板电脑、嵌入式计算平台、网络路由器、工业控制系统以及汽车电子系统等。其低功耗和高带宽特性使其在移动设备中表现出色,同时也能满足工业和汽车电子对可靠性的要求。

替代型号

H5TQ4G83AFR-PBC、H5TQ2G83EFRPBC、H5TC4G63AFR-PBA、H5TQ4G63AFR-PBC

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