H5TQ4G83AFR-TEC 时间：2025/9/2 7:00:41 阅读：8

H5TQ4G83AFR-TEC 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于LPDDR4系列的低功耗移动存储器。该芯片广泛应用于高性能移动设备、嵌入式系统以及需要高速内存支持的电子产品中。其封装类型为FBGA，容量为4GB，适用于要求低功耗和高性能的应用场景。

参数

类型：DRAM
　　规格：LPDDR4
　　容量：4Gb（512MB x 8）
　　数据速率：3200Mbps
　　工作电压：1.1V（VDD） / 0.6V（VDDQ）
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：8mm x 10mm x 0.8mm
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口：8位并行接口
　　刷新周期：64ms

特性

H5TQ4G83AFR-TEC 是一款专为低功耗和高性能需求设计的LPDDR4型DRAM芯片。其采用先进的DRAM制造工艺，具有较低的电压需求（1.1V主电压和0.6V I/O电压），显著降低了功耗，使其非常适合用于移动设备和嵌入式系统。
　　该芯片的高速数据传输速率可达3200Mbps，确保了在高负载应用场景下的快速数据处理能力。此外，它采用了紧凑的FBGA封装（8mm x 10mm），在节省PCB空间的同时，提供了良好的热管理和电气性能。
　　H5TQ4G83AFR-TEC 还具备较高的稳定性和可靠性，在-40°C至+85°C的宽温度范围内均可正常工作，适用于各种严苛环境条件下的电子设备。同时，其64ms的标准刷新周期确保了数据的持久稳定存储。
　　此外，这款DRAM芯片支持多种操作模式，包括低功耗自刷新模式（Self-Refresh）、预充电功耗节省模式等，有助于进一步优化系统能耗。这些特性使其成为智能手机、平板电脑、智能穿戴设备以及车载信息娱乐系统等应用的理想选择。

应用

H5TQ4G83AFR-TEC 常用于需要高速缓存和低功耗特性的电子产品中。例如，它被广泛应用于高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、便携式媒体播放器等移动设备中，以提升设备的整体性能和能效。
　　此外，该芯片也适用于嵌入式系统，如工业控制设备、自动化仪器仪表、智能家电以及物联网（IoT）设备，为这些系统提供快速的数据访问和可靠的运行保障。
　　在汽车电子领域，H5TQ4G83AFR-TEC 可用于车载导航系统、车载娱乐系统（IVI）以及ADAS（高级驾驶辅助系统）中的图像处理模块，确保数据高速处理和低功耗运行的需求。
　　同时，它也可用于网络设备、手持终端设备以及高性能计算模块中，作为主内存或高速缓存使用。