时间：2025/9/2 10:34:57
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H5TQ4G83AFR-RDC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于LPDDR4系列。这款芯片广泛应用于高性能计算设备、智能手机、平板电脑以及嵌入式系统中，提供高带宽和低功耗的内存解决方案。H5TQ4G83AFR-RDC 的容量为4GB，采用先进的DRAM制造工艺，具备高速数据传输能力，适用于需要大量内存和高效能的电子设备。
容量：4GB
类型：LPDDR4 SDRAM
工作电压：1.1V（VDD）/1.0V（VDDQ）
数据速率：3200Mbps
封装类型：FBGA
引脚数：153-pin
工作温度范围：-40°C至+85°C
H5TQ4G83AFR-RDC 是一款高性能、低功耗的LPDDR4 DRAM芯片，专为满足现代移动设备和嵌入式系统的高带宽需求而设计。该芯片采用了先进的制造工艺，能够在保持低功耗的同时提供高速的数据传输速率，最高可达3200Mbps。其1.1V核心电压和1.0V I/O电压设计，显著降低了功耗，延长了设备的电池寿命。
此外，H5TQ4G83AFR-RDC 采用了153-pin FBGA封装，体积小巧，适合紧凑型设备的设计。其支持多种低功耗模式，如深度掉电模式（Deep Power Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），能够根据设备的运行状态动态调整功耗，提高能效。
该芯片还具备出色的稳定性和可靠性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内正常工作，适用于各种严苛环境下的应用。其内置的温度补偿自刷新（TCSR）功能确保了数据在高温条件下的完整性，而写入校准和读取校准技术则提升了信号完整性，减少了数据传输错误。
此外，H5TQ4G83AFR-RDC 支持突发长度为16（BL16）的突发访问模式，提高了内存访问效率，减少了延迟。该芯片还支持动态ODT（On-Die Termination）功能，可在高速运行时减少信号反射，提高系统稳定性。这些特性使得H5TQ4G83AFR-RDC成为高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及工业控制设备的理想选择。
H5TQ4G83AFR-RDC 主要用于需要高性能内存的电子设备中，包括高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统以及工业控制设备。其低功耗和高带宽特性使其特别适用于移动设备和便携式电子产品。
H5TQ4G83BFR-RDC, H5TQ2G83FFR-RDC, H5TQ4G63AFR-RDC
