容量：4Gbit
　　组织结构：x8/x16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装尺寸：54-ball TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据速率：166MHz/200MHz
　　访问时间：5.4ns/5ns
　　刷新周期：64ms

H5TQ4G83AFR-PBI 具备多种先进的性能特点，包括低功耗设计、高速数据存取能力以及良好的热稳定性。其支持多种电压范围，适用于不同环境下的电子设备应用。此外，该芯片采用TSOP封装形式，具有较小的体积和较高的机械稳定性，便于在各种紧凑型设备中安装和使用。
　　这款DRAM芯片在制造过程中采用了高密度存储技术，确保了其在高容量下的稳定性和可靠性。其64ms的刷新周期可以有效减少数据丢失的风险，同时保证了内存的高效运行。H5TQ4G83AFR-PBI 还支持两种数据速率模式，分别为166MHz和200MHz，满足不同系统对内存速度的需求，从而提升整体系统的性能表现。
　　此外，该芯片的工作温度范围较广，可以在-40°C至+85°C的环境中稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。这种宽温特性使其在极端环境条件下仍能保持正常的内存操作，从而提高了电子设备的适应性和可靠性。

H5TQ4G83AFR-PBI 被广泛应用于多种需要高性能内存支持的电子设备和系统中。其主要应用领域包括但不限于工业控制设备、嵌入式系统、通信设备、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）以及汽车电子系统等。
　　在工业控制方面，该芯片可以为工业自动化设备提供快速可靠的数据存储和访问能力，确保生产过程的高效运行。在嵌入式系统中，由于其高容量和小封装尺寸，H5TQ4G83AFR-PBI 能够有效支持复杂的嵌入式应用程序，提升设备的处理能力和响应速度。在通信设备中，该芯片可用于基站、路由器和交换机等设备，以满足高数据吞吐量的需求。
　　此外，H5TQ4G83AFR-PBI 在消费类电子产品中也具有广泛的应用前景，例如智能手机和平板电脑等移动设备，这些设备对内存容量和速度有较高的要求。同时，其宽温特性和高可靠性也使其成为汽车电子系统中的理想选择，可应用于车载导航、娱乐系统以及高级驾驶辅助系统（ADAS）等。

H5TQ4G83EFR-PBC, H5TQ2G83FFR-PBC