容量：4Gb（512MB）
　　组织结构：x16位
　　电压：1.35V（低电压DDR3，也称为LVDDR3）
　　封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　引脚数：96-ball
　　时钟频率：最高支持800MHz（等效数据传输速率1600Mbps）
　　工作温度：工业级温度范围（-40°C至+85°C）
　　接口类型：DDR3 SDRAM接口
　　刷新周期：64ms

H5TQ4G63EFR-TEI 是一款高性能的DDR3 SDRAM芯片，具有多项先进的技术特性。首先，其低电压设计（1.35V）显著降低了功耗，适用于对能耗敏感的应用场景，例如便携式设备和嵌入式系统。其次，该芯片支持高达1600Mbps的数据传输速率，具备出色的数据处理能力，能够满足高速计算和数据密集型应用的需求。
　　此外，H5TQ4G63EFR-TEI 采用了先进的FBGA封装技术，具有优异的散热性能和机械稳定性，能够在高温和振动等恶劣环境下保持稳定运行。其96-ball的封装形式也便于PCB布局和焊接，提高了系统的可靠性和可制造性。
　　这款DRAM芯片还具备良好的兼容性，可以与多种主流的处理器和控制器配合使用，简化了系统设计的复杂性。其64ms的刷新周期确保了数据在长时间运行中的稳定性，降低了数据丢失的风险。同时，该芯片支持多种工作模式，包括自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），进一步优化了功耗管理。

H5TQ4G63EFR-TEI 主要应用于需要高性能和大容量内存的设备中。例如，它广泛用于工业控制设备、网络通信设备、消费类电子产品（如智能手机和平板电脑）、嵌入式系统、服务器和存储设备等场景。由于其支持工业级温度范围，因此特别适用于户外设备、自动化控制系统和车载电子设备等对环境要求较高的应用场合。

H5TQ4G63AFR-TEI, H5TQ2G83EFR-TEI, MT48LC16M16A2B4-6A