时间：2025/9/1 15:45:54
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H5TQ4G63DFR-PBA 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储器解决方案的一部分，通常用于需要高性能内存的设备。这款芯片具有高存储密度、高速数据传输率和低功耗等特点，适用于如图形处理、高性能计算、网络设备以及嵌入式系统等领域。
容量：4Gb
封装类型：FBGA
引脚数量：78
工作温度：-40°C ~ +85°C
电压：1.5V
数据传输速率：1600Mbps
接口类型：QPI（Quad Parallel Interface）
H5TQ4G63DFR-PBA 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，其采用QPI接口设计，支持四通道数据传输，显著提升了数据吞吐能力。该芯片的封装形式为78-FBGA，体积小巧，便于在高密度电路板上布局。此外，其工作温度范围宽广，可在-40°C至+85°C环境下稳定运行，适合工业级和高性能应用场景。芯片内部集成先进的刷新机制和自刷新功能，能够在断电或低功耗模式下保持数据完整性。H5TQ4G63DFR-PBA 的1.5V供电设计有助于降低整体功耗，符合现代电子设备对节能环保的需求。
H5TQ4G63DFR-PBA 主要应用于需要高速数据处理和大容量内存的设备，如高端图形显卡、网络交换设备、服务器、嵌入式系统以及高性能计算平台。由于其优异的性能和稳定性，这款芯片也广泛用于工业控制、汽车电子和通信设备中。
H5TQ4G63EFR-PBA, H5TQ4G63DFR-RCD
