时间：2025/9/2 8:35:02
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H5TQ4G63CFR是SK Hynix（现为SK海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM（LPDDR3）类别。该芯片专为低功耗和高性能应用设计，适用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。H5TQ4G63CFR具有4Gb（512MB）的存储容量，采用双列直插式封装（FBGA），并支持低功耗DDR3接口标准，使其在移动设备中表现出色。
容量：4Gb
组织结构：x32
电压：1.35V/1.5V
接口类型：LPDDR3
封装类型：FBGA
引脚数：168
工作温度范围：-40°C至+85°C
时钟频率：最高800MHz
数据速率：1600Mbps
封装尺寸：12mm x 12mm
H5TQ4G63CFR芯片采用了先进的DRAM制造工艺，具有较高的数据传输速率和较低的功耗。其LPDDR3接口支持双倍数据速率（DDR），允许在每个时钟周期内传输两次数据，从而提高整体性能。此外，该芯片支持多种低功耗模式，包括预充电、自刷新和深度掉电模式，有助于延长移动设备的电池寿命。
这款DRAM芯片还具备良好的温度稳定性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行，适合各种恶劣环境下的应用。其168引脚FBGA封装提供了良好的电气性能和机械稳定性，确保在高振动或冲击环境下仍能可靠工作。
为了提高系统效率，H5TQ4G63CFR支持突发长度（Burst Length）可编程，允许用户根据应用需求调整数据传输模式。此外，该芯片集成了温度补偿自刷新（TCSR）技术，可根据温度变化自动调整刷新率，从而降低功耗并提高数据保持能力。
H5TQ4G63CFR主要应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑、超极本（Ultrabook）和其他移动计算设备。由于其高数据传输速率和低功耗特性，它也适用于图像处理、视频播放和多任务处理等对内存带宽要求较高的应用场景。
此外，该芯片还可用于嵌入式系统和工业控制设备，尤其是在需要高可靠性和宽温度范围操作的场合。例如，在车载信息娱乐系统、工业自动化设备和便携式医疗设备中，H5TQ4G63CFR能够提供稳定、高效的内存支持。
随着物联网（IoT）和边缘计算设备的发展，这款DRAM芯片也被广泛用于智能穿戴设备、智能家居控制器和便携式传感器节点中，以满足对实时数据处理和低功耗运行的需求。
H5TQ4G63CFR-H92A, H5TC4G63CFR, H5TQ2G63CFR
