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H5TQ4G63CFR-TECR 发布时间 时间:2025/9/2 1:52:52 查看 阅读:6

H5TQ4G63CFR-TECR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽内存解决方案的一部分,广泛应用于需要高性能存储的电子设备中。该芯片的容量为4GB,采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,具备紧凑的尺寸和高效的性能表现,适合嵌入式系统、消费类电子产品以及工业设备等应用场景。

参数

容量:4GB
  类型:DRAM
  封装:FBGA
  引脚数:168
  工作电压:1.2V
  数据速率:3200Mbps
  内存类型:LPDDR4
  接口类型:并行
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  时钟频率:1600MHz

特性

H5TQ4G63CFR-TECR 的主要特性包括其高容量与低功耗设计,能够在保证高性能的同时降低功耗,从而延长设备的电池寿命。这款内存芯片采用了LPDDR4标准,具有较高的数据传输速率,支持高达3200Mbps的数据带宽,适用于需要快速数据处理的应用场景。
  此外,该芯片采用1.2V的工作电压,相较于前代LPDDR3内存,功耗显著降低,适用于对能效有较高要求的移动设备和嵌入式系统。其工作温度范围为-40°C至+85°C,具备良好的热稳定性和环境适应性,适用于工业级应用。
  该芯片的封装形式为FBGA,拥有168个引脚,确保了良好的电气性能和机械稳定性。这种封装方式也有助于减少信号干扰,提高数据传输的可靠性。由于其高性能和低功耗的特性,H5TQ4G63CFR-TECR 成为了现代高端智能手机、平板电脑、智能电视以及车载电子系统等设备的理想选择。

应用

H5TQ4G63CFR-TECR 广泛应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的设备中。典型的应用包括智能手机、平板电脑、嵌入式计算模块、工业控制系统、网络设备以及汽车电子系统等。由于其高速数据传输能力,该芯片特别适用于需要实时数据处理和高性能图形渲染的应用场景,例如游戏设备和多媒体播放器。
  在工业自动化和控制系统中,该芯片可以用于数据缓存和临时存储,以提高系统的响应速度和稳定性。在汽车电子领域,H5TQ4G63CFR-TECR 可用于车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS),为这些系统提供高效、可靠的内存支持。
  此外,该芯片还适用于物联网(IoT)设备,支持数据采集、边缘计算和云连接等应用,帮助提升设备的智能化水平和数据处理能力。

替代型号

H5TQ4G63AFR-TECR, H5TQ4G63DFR-TECR, H5TQ4G63EFR-TECR

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