时间：2025/6/22 13:22:12
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H5TQ4G63AFR-RDC 是一款由海力士（SK Hynix）生产的 NAND 闪存芯片，采用 TLC（Triple-Level Cell）技术。该芯片具有高密度存储能力，适用于需要大容量存储的消费类电子产品和嵌入式设备。它支持 ONFI（Open NAND Flash Interface）标准协议，确保了与各种主控芯片的兼容性。
该型号设计用于工业级和消费级应用，具有良好的可靠性和稳定性。其封装形式为 BGA（球栅阵列封装），适合高密度、高性能的应用场景。
容量：4GB
存储类型：TLC NAND Flash
接口：ONFI 3.0
电压：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ +85°C
封装形式：BGA
I/O配置：16-bit
H5TQ4G63AFR-RDC 提供了多种关键特性以满足现代电子设备的需求：
1. 高密度存储：单颗芯片即可提供 4GB 的存储空间，适用于需要较大存储容量的场景。
2. 快速数据传输：通过支持 ONFI 3.0 标准，实现了更高的数据读写速度。
3. 良好的可靠性：采用了 TLC 技术，在保持成本效益的同时提供了可靠的性能。
4. 广泛的工作温度范围：从 -40°C 到 +85°C 的温度范围使其适用于工业和消费类应用。
5. 稳定性：具备较高的擦写寿命和数据保持能力，适用于长时间运行的设备。
6. 小型化设计：采用 BGA 封装形式，节省了 PCB 空间，非常适合紧凑型设计。
H5TQ4G63AFR-RDC 主要应用于以下领域：
1. 消费类电子：如智能手机、平板电脑、数码相机等需要大容量存储的设备。
2. 嵌入式系统：例如路由器、智能家居设备和其他需要内置存储的硬件。
3. 工业控制：在工业计算机、数据记录仪等设备中用作存储介质。
4. 物联网 (IoT) 设备：为各种智能终端提供足够的存储空间来保存数据和程序。
5. 监控系统：可用于存储视频监控数据和其他重要信息。
H5TC4G63AFR-TNC, H5TC8G63AMR-PBA
