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H5TQ4G63AFR-H9C 发布时间 时间:2025/9/2 10:13:33 查看 阅读:8

H5TQ4G63AFR-H9C 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度、低功耗的移动DRAM产品系列,专为移动设备和嵌入式系统设计。H5TQ4G63AFR-H9C 的容量为4GB,采用PoP(Package on Package)封装形式,适用于智能手机、平板电脑以及其他对空间和功耗要求较高的便携式电子设备。

参数

容量:4GB
  类型:DRAM
  封装:PoP(Package on Package)
  电压:1.8V / 3.3V
  数据宽度:16位
  接口:并行接口
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  存储介质:DRAM
  封装尺寸:根据数据手册为标准PoP尺寸
  速度等级:根据时钟频率定义
  工作模式:异步/同步模式
  

特性

H5TQ4G63AFR-H9C 以其高存储密度和低功耗设计著称,非常适合用于需要高性能和能效的移动设备中。其PoP封装技术使得该芯片能够直接堆叠在处理器之上,从而节省PCB空间,提高系统集成度。此外,该芯片支持多种工作模式,包括异步和同步模式,以适应不同的系统设计需求。其低电压设计(1.8V/3.3V)不仅有助于降低功耗,还能减少热量产生,提高设备的稳定性和可靠性。
  这款DRAM芯片还具备良好的兼容性,能够与多种主流处理器和控制器配合使用,适用于多种嵌入式平台。H5TQ4G63AFR-H9C 在设计上也考虑到了高频工作的稳定性,支持较高的数据传输速率,从而满足高性能应用的需求。此外,该芯片符合RoHS环保标准,无铅封装,适合现代电子设备的环保要求。

应用

H5TQ4G63AFR-H9C 广泛应用于移动设备和嵌入式系统中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式媒体播放器、车载信息娱乐系统以及工业控制设备等。由于其PoP封装形式,该芯片特别适合需要高密度存储和紧凑布局的设备,能够有效提升系统的整体性能。在智能手机和平板电脑中,它被用作主内存,支持多任务处理、图形加速和高速数据访问等功能。在工业应用中,该芯片能够提供可靠的存储支持,适用于各种需要高性能和稳定性的场景。

替代型号

H5TC4G63AFR-H9C, H5TQ2G63FFR-H9C, H5TQ4G63BFR-H9C

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