时间：2025/9/2 10:13:33
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H5TQ4G63AFR-H9C 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、低功耗的移动DRAM产品系列，专为移动设备和嵌入式系统设计。H5TQ4G63AFR-H9C 的容量为4GB，采用PoP（Package on Package）封装形式，适用于智能手机、平板电脑以及其他对空间和功耗要求较高的便携式电子设备。
容量：4GB
类型：DRAM
封装：PoP（Package on Package）
电压：1.8V / 3.3V
数据宽度：16位
接口：并行接口
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
存储介质：DRAM
封装尺寸：根据数据手册为标准PoP尺寸
速度等级：根据时钟频率定义
工作模式：异步/同步模式
H5TQ4G63AFR-H9C 以其高存储密度和低功耗设计著称，非常适合用于需要高性能和能效的移动设备中。其PoP封装技术使得该芯片能够直接堆叠在处理器之上，从而节省PCB空间，提高系统集成度。此外，该芯片支持多种工作模式，包括异步和同步模式，以适应不同的系统设计需求。其低电压设计（1.8V/3.3V）不仅有助于降低功耗，还能减少热量产生，提高设备的稳定性和可靠性。
这款DRAM芯片还具备良好的兼容性，能够与多种主流处理器和控制器配合使用，适用于多种嵌入式平台。H5TQ4G63AFR-H9C 在设计上也考虑到了高频工作的稳定性，支持较高的数据传输速率，从而满足高性能应用的需求。此外，该芯片符合RoHS环保标准，无铅封装，适合现代电子设备的环保要求。
H5TQ4G63AFR-H9C 广泛应用于移动设备和嵌入式系统中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式媒体播放器、车载信息娱乐系统以及工业控制设备等。由于其PoP封装形式，该芯片特别适合需要高密度存储和紧凑布局的设备，能够有效提升系统的整体性能。在智能手机和平板电脑中，它被用作主内存，支持多任务处理、图形加速和高速数据访问等功能。在工业应用中，该芯片能够提供可靠的存储支持，适用于各种需要高性能和稳定性的场景。
H5TC4G63AFR-H9C, H5TQ2G63FFR-H9C, H5TQ4G63BFR-H9C
