H5TQ2G83GFR-TEC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,采用TeraStack(3D堆叠)封装技术,具备高密度、低功耗和高性能的特点。该芯片广泛应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统及便携式电子设备中。
容量:2Gb(256MB)
组织结构:x8/x16
类型:DRAM
技术:LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)
封装:TeraStack 3D堆叠封装
电源电压:1.1V/1.8V
接口:8位或16位并行接口
频率:支持高达1600MHz的工作频率
封装尺寸:根据具体封装设计而定
工作温度范围:-40°C至+85°C
高性能:支持高达1600MHz的时钟频率,数据传输速率高,适用于高性能系统需求。
低功耗:采用LPDDR4技术,优化了功耗管理,适合电池供电设备使用。
3D堆叠封装:采用TeraStack技术,将多层芯片堆叠,节省PCB空间,提升集成度。
多种接口支持:支持x8和x16接口模式,提供灵活的系统设计选择。
高稳定性:在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作,适用于各种严苛环境。
兼容性好:符合JEDEC标准,便于与主流控制器和平台集成。
内存密度适中:2Gb(256MB)的容量适合中高端嵌入式设备和移动设备的应用需求。
H5TQ2G83GFR-TEC 主要用于以下领域:
智能手机和平板电脑:作为主内存(RAM),提升设备的运行速度和多任务处理能力。
嵌入式系统:应用于工业控制、车载系统、医疗设备等需要高性能和低功耗内存的场合。
便携式消费电子产品:如智能手表、AR/VR设备、无人机等,得益于其小尺寸和低功耗特性。
网络设备:用于路由器、交换机等需要高速缓存的设备中。
图形处理器和多媒体设备:用于缓存视频和图形数据,提升图像处理性能。
H5TQ2G83EFR-TEC, H5TQ2G83FFR-TEC, H5TC4G63FFR-TEC