H5TQ2G83FFR 时间：2025/9/2 0:19:18 阅读：3

H5TQ2G83FFR是一款由SK Hynix（海力士）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能存储器产品系列。该芯片采用先进的制造工艺，具备大容量和高速度的特点，广泛应用于需要高性能内存支持的电子设备中。H5TQ2G83FFR的容量为2Gbit，支持SDRAM接口，适用于需要大容量内存和高速数据传输的应用场景。

参数

容量：2Gbit
　　接口类型：SDRAM
　　工作电压：1.35V
　　数据速率：1600Mbps
　　封装类型：FBGA
　　数据宽度：x8
　　工作温度范围：0°C至85°C

特性

H5TQ2G83FFR具有多项显著的性能特点。首先，其2Gbit的存储容量可以满足高性能计算设备对内存容量的需求，尤其适合处理大量数据的应用场景。其次，1600Mbps的数据速率能够提供快速的数据访问能力，显著提升系统的整体性能。
　　该芯片采用低电压设计，工作电压为1.35V，有效降低了功耗，同时保证了稳定的工作性能，适用于对功耗敏感的设备，如移动设备和嵌入式系统。H5TQ2G83FFR还采用了先进的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，不仅提高了封装密度，还增强了芯片的散热性能和可靠性。
　　此外，H5TQ2G83FFR支持x8数据宽度模式，提供了良好的灵活性和兼容性，能够适应多种系统架构的需求。其工作温度范围为0°C至85°C，确保了在不同环境条件下的稳定运行。

应用

H5TQ2G83FFR广泛应用于高性能计算设备、服务器、网络设备、工业控制系统以及高端消费类电子产品中。例如，在服务器和数据中心中，它可以作为主内存，提供快速的数据存取能力，提升系统的响应速度和处理能力。在工业控制系统中，H5TQ2G83FFR的稳定性和可靠性能够确保设备在严苛环境下的正常运行。此外，该芯片还适用于需要大容量内存和高速处理能力的嵌入式系统，如智能电视、高端路由器和网络存储设备。