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H5TQ2G83FFR-TEC 发布时间 时间:2025/9/2 21:03:57 查看 阅读:6

H5TQ2G83FFR-TEC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的移动存储解决方案。该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑以及其他需要大容量内存的便携式电子设备中。H5TQ2G83FFR-TEC采用先进的制造工艺,具备高集成度、低功耗和高速数据访问能力,适合现代移动设备对内存性能的高要求。

参数

容量:2Gb
  类型:DRAM,LPDDR4
  电压:1.1V(VDD),1.8V(VDDQ)
  封装类型:FBGA
  引脚数:128
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  数据速率:3200Mbps
  组织结构:x8,x16
  时钟频率:1600MHz
  接口类型:并行
  制造工艺:1xnm(约16nm~19nm)

特性

H5TQ2G83FFR-TEC 具备多项先进的技术特性,首先,它采用LPDDR4标准,支持更低的电压操作,从而显著降低功耗,延长移动设备的电池续航时间。其1.1V的核心电压(VDD)和1.8V的I/O电压(VDDQ)设计,使其在高性能和低功耗之间达到良好的平衡。
  该芯片支持高达3200Mbps的数据速率,时钟频率为1600MHz,能够满足高速数据处理需求,适用于多任务处理、高清视频播放、大型游戏等应用场景。其128引脚的FBGA封装形式,不仅提高了封装密度,还增强了信号完整性和热稳定性。
  H5TQ2G83FFR-TEC的工作温度范围宽达-40°C至+85°C,适用于各种复杂环境下的电子设备,确保在高温或低温条件下依然保持稳定运行。此外,该芯片采用x8/x16的组织结构,提供了灵活的配置选项,便于在不同系统中使用。

应用

H5TQ2G83FFR-TEC 主要用于高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统(IVI)、工业控制设备以及高性能嵌入式系统。由于其低功耗和高速特性,特别适合需要持续数据流处理和快速响应的应用场景。

替代型号

H5TQ2G83MFR-PLC,H5TC4G63FFR-TEC,H9HKNNN8JMMU-BVMA

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