时间：2025/9/2 10:17:31
阅读：9
H5TQ2G83FFR-H9C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高带宽存储解决方案的一部分，适用于需要高性能和高密度内存的应用场景。
存储类型：DRAM
容量：256MB x 16（4GB）
封装类型：FBGA
引脚数量：168
工作电压：1.8V - 3.3V
数据速率：166MHz / 200MHz / 250MHz
访问时间：5.4ns / 4.5ns / 4ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5TQ2G83FFR-H9C 是一款高性能的DRAM芯片，支持高速数据传输，适用于需要大量数据处理的应用。其低功耗设计使其适合用于便携式设备和嵌入式系统。此外，该芯片具有高可靠性和稳定性，能够在广泛的温度范围内正常工作，适用于工业级和汽车级应用。
该DRAM芯片支持多种数据速率，可根据系统需求进行灵活配置，提高系统的整体性能。其紧凑的封装设计有助于节省PCB空间，适用于空间受限的设计。此外，H5TQ2G83FFR-H9C 还具备良好的兼容性，可与其他标准存储控制器和系统芯片配合使用，降低系统设计的复杂性。
该芯片采用先进的制造工艺，确保了优异的电气性能和长期的使用寿命。其低功耗特性有助于延长电池供电设备的续航时间，同时减少热量产生，提高系统的稳定性。
H5TQ2G83FFR-H9C 主要应用于需要高性能内存的设备，如高端嵌入式系统、工业计算机、网络设备、图形处理器、汽车电子系统以及消费类电子产品。它也适用于需要快速数据访问和高存储密度的场合，例如视频处理、图像处理和实时数据缓存。
H5TQ2G83FFR-H9C 可以被以下型号替代：H5TQ2G83MFR-H9C、H5TQ2G83FFR-PBA、H5TQ2G83FFR-H9A、H5TQ2G83FFR-H9D
