H5TQ2G83EFR-RDC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽内存解决方案的一部分。这款内存芯片主要用于高性能计算、服务器、网络设备和嵌入式系统等对内存速度和容量有较高要求的应用场景。H5TQ2G83EFR-RDC 的设计旨在提供卓越的数据传输速率和稳定性,支持高密度存储,满足现代计算平台对内存性能的严格需求。
容量:2Gb(256MB)
组织结构:x8/x16
电压:1.35V(低电压设计,降低功耗)
接口类型:DDR4 SDRAM
工作温度范围:0°C 至 85°C
封装类型:FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)
时钟频率:高达 3200MHz
数据速率:3200Mbps
CAS延迟(CL):22
预取架构:8n 预取
刷新周期:64ms
H5TQ2G83EFR-RDC 具备多项先进的技术特性,确保其在高性能计算和复杂系统中的稳定运行。
首先,这款DRAM芯片采用DDR4接口,提供更高的数据传输速率和更低的功耗。相比前代DDR3,DDR4在电压方面进一步降低,H5TQ2G83EFR-RDC 的典型工作电压为1.35V,有助于降低整体系统功耗,适用于对能效敏感的应用场景。
其容量为2Gb(256MB),适合用于需要高带宽内存的系统,如网络交换机、图形处理器、嵌入式设备和服务器内存扩展模块。x8/x16 数据宽度支持灵活的内存配置,增强系统兼容性。
该芯片采用FBGA(细间距球栅阵列)封装,具有良好的电气性能和热管理能力,适用于高密度PCB布局和复杂电路设计。此外,H5TQ2G83EFR-RDC 支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在断电或低功耗模式下的完整性,同时具备良好的抗干扰能力。
为了适应不同应用场景的需求,H5TQ2G83EFR-RDC 的工作温度范围为0°C 至 85°C,适用于工业级和部分嵌入式环境。其CAS延迟为22,支持高速数据访问,同时保证系统的稳定性。
这款DRAM芯片的8n预取架构提高了数据访问效率,结合高达3200Mbps的数据速率,使得其在高性能系统中表现出色。64ms的刷新周期确保了数据在内存中的长时间保持,减少了数据丢失的风险。
H5TQ2G83EFR-RDC 主要应用于对内存带宽和容量有较高要求的高性能系统,如:
- 高性能计算(HPC)设备,用于科学计算、数据分析和仿真等场景;
- 服务器和数据中心内存扩展模块,提升系统处理能力和响应速度;
- 网络设备,如高端路由器和交换机,用于缓存和转发高速数据流;
- 嵌入式系统,如工业控制设备、图像处理模块和边缘计算设备;
- 图形处理器(GPU)或AI加速卡,用于提供高带宽内存支持,满足深度学习和人工智能应用的内存需求。
H5TC4G63AFR-RDC, H5TQ1G83EFR-RDC