时间：2025/7/22 11:11:36
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H5TQ2G83EFR-RDC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽内存解决方案的一部分。这款内存芯片主要用于高性能计算、服务器、网络设备和嵌入式系统等对内存速度和容量有较高要求的应用场景。H5TQ2G83EFR-RDC 的设计旨在提供卓越的数据传输速率和稳定性，支持高密度存储，满足现代计算平台对内存性能的严格需求。
容量：2Gb（256MB）
组织结构：x8/x16
电压：1.35V（低电压设计，降低功耗）
接口类型：DDR4 SDRAM
工作温度范围：0°C 至 85°C
封装类型：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
时钟频率：高达 3200MHz
数据速率：3200Mbps
CAS延迟（CL）：22
预取架构：8n 预取
刷新周期：64ms
H5TQ2G83EFR-RDC 具备多项先进的技术特性，确保其在高性能计算和复杂系统中的稳定运行。
首先，这款DRAM芯片采用DDR4接口，提供更高的数据传输速率和更低的功耗。相比前代DDR3，DDR4在电压方面进一步降低，H5TQ2G83EFR-RDC 的典型工作电压为1.35V，有助于降低整体系统功耗，适用于对能效敏感的应用场景。
其容量为2Gb（256MB），适合用于需要高带宽内存的系统，如网络交换机、图形处理器、嵌入式设备和服务器内存扩展模块。x8/x16 数据宽度支持灵活的内存配置，增强系统兼容性。
该芯片采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，具有良好的电气性能和热管理能力，适用于高密度PCB布局和复杂电路设计。此外，H5TQ2G83EFR-RDC 支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在断电或低功耗模式下的完整性，同时具备良好的抗干扰能力。
为了适应不同应用场景的需求，H5TQ2G83EFR-RDC 的工作温度范围为0°C 至 85°C，适用于工业级和部分嵌入式环境。其CAS延迟为22，支持高速数据访问，同时保证系统的稳定性。
这款DRAM芯片的8n预取架构提高了数据访问效率，结合高达3200Mbps的数据速率，使得其在高性能系统中表现出色。64ms的刷新周期确保了数据在内存中的长时间保持，减少了数据丢失的风险。
H5TQ2G83EFR-RDC 主要应用于对内存带宽和容量有较高要求的高性能系统，如：
- 高性能计算（HPC）设备，用于科学计算、数据分析和仿真等场景；
- 服务器和数据中心内存扩展模块，提升系统处理能力和响应速度；
- 网络设备，如高端路由器和交换机，用于缓存和转发高速数据流；
- 嵌入式系统，如工业控制设备、图像处理模块和边缘计算设备；
- 图形处理器（GPU）或AI加速卡，用于提供高带宽内存支持，满足深度学习和人工智能应用的内存需求。
H5TC4G63AFR-RDC, H5TQ1G83EFR-RDC
