H5TQ2G83DFR-RDC 时间：2025/9/2 10:54:47 阅读：20

H5TQ2G83DFR-RDC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于DDR3 SDRAM类别，主要面向高性能计算、服务器、网络设备和嵌入式系统等应用场景。这款内存芯片具有较高的存储密度和稳定性，适用于对内存容量和性能有较高要求的设备。H5TQ2G83DFR-RDC 的封装形式为FBGA，便于在现代电路设计中进行集成。

参数

容量：256MB
　　数据宽度：16位
　　电压：1.35V - 1.5V
　　时钟频率：800MHz / 1600Mbps
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：98-ball FBGA
　　工作温度：0°C 至 +85°C
　　接口标准：DDR3 SDRAM
　　刷新周期：64ms
　　

特性

H5TQ2G83DFR-RDC 是一款高性能的DDR3 SDRAM芯片，具有低功耗、高密度和高可靠性的特点。
　　该芯片的容量为256MB，数据宽度为16位，能够在高频下稳定运行，支持高达1600Mbps的数据传输速率。其工作电压范围为1.35V至1.5V，使其在低功耗应用中表现出色，特别适用于节能型设备。
　　封装方面，H5TQ2G83DFR-RDC 采用98-ball FBGA封装，体积小巧，便于在空间受限的电路板上布局，同时提高了信号完整性和热稳定性。
　　其工作温度范围为0°C至+85°C，确保在各种工业环境下的稳定运行，适用于工业级和商业级设备。
　　此外，该芯片支持标准的DDR3 SDRAM功能，包括突发读写、自动刷新、自刷新等特性，能够满足复杂系统的内存管理需求。
　　总体而言，H5TQ2G83DFR-RDC 是一款适用于多种高性能嵌入式系统和计算平台的可靠内存解决方案。

应用

H5TQ2G83DFR-RDC 主要应用于高性能计算系统、服务器、网络设备（如路由器和交换机）、工业控制设备、嵌入式系统以及高端消费类电子产品。由于其高带宽和低功耗特性，该芯片也适用于图形处理器、存储控制器和通信模块等对内存性能有较高要求的应用场景。此外，它还可用于测试设备、自动化设备和数据中心设备中，提供稳定可靠的内存支持。