制造商：SK hynix
　　产品类型：DRAM
　　产品系列：LPDRAM
　　容量：256MB
　　数据总线宽度：x8
　　电压供应：1.7V - 3.3V（具体值可能因具体版本而异）
　　封装类型：TSOP（薄型小尺寸封装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H5TQ2G83DFR-H9I 是一款面向移动设备和嵌入式系统的低功耗DRAM芯片。它采用了先进的DRAM制造技术，能够在较低电压下运行，从而显著降低功耗，延长便携式设备的电池续航时间。该芯片支持多种低功耗模式，包括自刷新（Self-Refresh）、部分阵列刷新（Partial Array Refresh）以及深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），使得设备在待机或低活动状态下能够进一步节省电力。
　　此外，H5TQ2G83DFR-H9I 的封装形式为TSOP，适用于高密度、紧凑型电子设备，提供良好的散热性能和机械稳定性。其256MB的容量和x8数据位宽配置使其成为中高端移动设备中内存需求的理想选择，支持流畅的多任务处理和快速的数据存取。
　　该芯片还具备良好的兼容性，适用于多种嵌入式系统架构，并能与多种处理器和控制器协同工作，确保系统的高效运行。其设计还支持快速时钟频率，提供较高的数据传输速率，满足对实时数据处理有较高要求的应用场景。

H5TQ2G83DFR-H9I 广泛应用于对功耗敏感和对内存性能有一定要求的嵌入式系统和移动设备。常见的应用包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、便携式游戏机、数码相机、导航设备以及工业控制和通信设备等。由于其低功耗特性和紧凑封装，它特别适合用于电池供电的设备，以延长设备的续航时间并提高整体性能。

H5TQ2568FFR-H9C, H5PS1G83EFR-H9C, H5MS1G83EFR-H9C, MT48LC16M16A2B4-6A, K4T1G084QF-HCE6