时间：2025/9/1 18:04:03
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H5TQ2G83CFR-H9A 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM芯片，属于高带宽内存解决方案，广泛应用于高性能计算、图形处理和服务器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，提供高容量和高速度的内存访问能力，支持现代计算系统对内存带宽和容量的高要求。
类型：DRAM
容量：2Gbit
组织结构：x8, x16
工作电压：1.8V - 3.3V
封装类型：TSOP
接口类型：Parallel
最大时钟频率：166MHz
数据速率：333Mbps
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5TQ2G83CFR-H9A 是一款高性能、高可靠性的DRAM芯片，专为需要大容量内存和高速访问的应用而设计。其主要特性包括：高存储容量（2Gbit）、支持多种数据宽度配置（x8和x16），适用于多种系统架构；采用1.8V至3.3V的宽电压范围，增强了其在不同系统中的兼容性；支持166MHz时钟频率，数据速率高达333Mbps，满足对内存带宽有较高要求的设备需求；TSOP封装形式提供了良好的散热性能和稳定性，适合在复杂环境中运行。
此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在严苛的工业和通信环境中稳定运行。其高可靠性和稳定性使其成为工业控制、网络设备、嵌入式系统和图形处理设备中的理想选择。H5TQ2G83CFR-H9A 还支持多种电源管理模式，有助于在不同使用场景下优化功耗。
H5TQ2G83CFR-H9A 主要应用于需要高性能内存支持的设备，如高端图形卡、服务器主板、工业控制系统、网络路由器和交换机、嵌入式计算平台以及需要大容量高速缓存的通信设备。其优异的性能和稳定性也使其适用于高端消费类电子产品，如高性能游戏主机和专业工作站。
H5TQ2G83CFR-H9C, H5TQ2G83BFR-H9A, H5TQ2G83CFR-H9B
