H5TQ2G83BZR-H9C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于LPDDR4系列。该芯片主要用于高性能计算、移动设备、图形处理等领域,提供高速数据存储和访问能力。这款内存芯片采用BGA(球栅阵列)封装技术,具有较高的集成度和稳定性。
容量:2Gb(256MB)
架构:x8
电压:1.1V
频率:3200Mbps
封装类型:BGA
封装尺寸:8mm x 10mm
温度范围:-40°C至+85°C
H5TQ2G83BZR-H9C 是一款低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器(LPDDR4 SDRAM)芯片,适用于需要高性能和低功耗的移动和嵌入式设备。该芯片支持3200Mbps的数据传输速率,能够在高频率下运行,提升系统整体性能。其1.1V的工作电压降低了功耗,适合用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备等对功耗敏感的应用场景。此外,该芯片采用8mm x 10mm的小型BGA封装,占用空间小,便于在紧凑型设备中布局。
该芯片还具备先进的刷新机制和自刷新功能,确保在低功耗模式下数据的完整性。同时,它支持多种突发模式和预取功能,以优化数据传输效率。内置的温度传感器可根据环境温度调整工作模式,提高稳定性和可靠性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适应各种严苛的使用环境。
H5TQ2G83BZR-H9C 主要应用于高性能移动设备和嵌入式系统,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、AR/VR设备、图形加速器、智能电视、车载信息娱乐系统等。由于其高速性能和低功耗特性,该芯片也常用于工业控制、医疗设备、物联网设备等对能效和性能有较高要求的场景。
H5TQ2G83BFR-H9C, H5TQ2G83AFR-H9C, H5TC4G63FFR-H9C