时间：2025/9/2 5:13:15
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H5TQ2G83BZR-H9C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于LPDDR4系列。该芯片主要用于高性能计算、移动设备、图形处理等领域，提供高速数据存储和访问能力。这款内存芯片采用BGA（球栅阵列）封装技术，具有较高的集成度和稳定性。
容量：2Gb（256MB）
架构：x8
电压：1.1V
频率：3200Mbps
封装类型：BGA
封装尺寸：8mm x 10mm
温度范围：-40°C至+85°C
H5TQ2G83BZR-H9C 是一款低功耗双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器（LPDDR4 SDRAM）芯片，适用于需要高性能和低功耗的移动和嵌入式设备。该芯片支持3200Mbps的数据传输速率，能够在高频率下运行，提升系统整体性能。其1.1V的工作电压降低了功耗，适合用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备等对功耗敏感的应用场景。此外，该芯片采用8mm x 10mm的小型BGA封装，占用空间小，便于在紧凑型设备中布局。
该芯片还具备先进的刷新机制和自刷新功能，确保在低功耗模式下数据的完整性。同时，它支持多种突发模式和预取功能，以优化数据传输效率。内置的温度传感器可根据环境温度调整工作模式，提高稳定性和可靠性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应各种严苛的使用环境。
H5TQ2G83BZR-H9C 主要应用于高性能移动设备和嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、AR/VR设备、图形加速器、智能电视、车载信息娱乐系统等。由于其高速性能和低功耗特性，该芯片也常用于工业控制、医疗设备、物联网设备等对能效和性能有较高要求的场景。
H5TQ2G83BFR-H9C, H5TQ2G83AFR-H9C, H5TC4G63FFR-H9C
