时间：2025/9/2 7:32:35
阅读：13
H5TQ2G83BFR-H9I 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，具有高性能和低功耗的特点，适用于移动设备和嵌入式系统。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装，具有较高的集成度和稳定性。
类型：DRAM
系列：LPDDR4
容量：2Gb
组织结构：x8/x16
电压：1.1V/1.8V
接口：JEDEC标准接口
封装类型：BGA
封装尺寸：90-ball
工作温度范围：-40°C至85°C
H5TQ2G83BFR-H9I 的主要特性包括高容量和低功耗设计，适合用于需要高性能存储的移动设备和嵌入式系统。该芯片支持多种数据传输速率，提供灵活的时序控制和自动刷新功能，以确保数据的完整性和可靠性。此外，其低功耗设计有助于延长设备的电池寿命，并减少散热问题。
这款DRAM芯片还具有高可靠性和稳定性，适用于各种严苛的工作环境。其封装设计有助于提高PCB布局的灵活性，并减少信号干扰。H5TQ2G83BFR-H9I 还支持多种操作模式，包括自刷新模式和深度掉电模式，以进一步降低功耗。
H5TQ2G83BFR-H9I 主要应用于移动设备如智能手机和平板电脑，以及嵌入式系统如汽车电子和工业控制系统。其高性能和低功耗特性使其非常适合用于需要高效能存储解决方案的场景。此外，该芯片也可用于网络设备和消费类电子产品。
H5TC2G83BFR-H9C
