时间：2025/9/2 12:57:18
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H5TQ2G83AFR-H9C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片采用现代半导体封装技术，广泛应用于需要高速存储和数据处理的设备中，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他高性能计算设备。
容量：2Gb（256MB）
类型：DRAM，具体为LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）
封装类型：FBGA
引脚数：134
电压：1.1V
工作温度范围：-40°C至85°C
数据速率：3200Mbps
组织结构：x16
时钟频率：1600MHz
H5TQ2G83AFR-H9C 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，专为现代便携式电子设备和高性能计算应用而设计。其LPDDR4技术使其在提供高速数据传输的同时，显著降低功耗，延长电池寿命。该芯片支持高带宽操作，适用于多任务处理和图形密集型应用。此外，H5TQ2G83AFR-H9C 采用紧凑的FBGA封装，有助于节省电路板空间，适合现代移动设备的小型化设计。该芯片还具备良好的热管理和稳定性，能够在广泛的温度范围内可靠运行，适应各种严苛的工作环境。
H5TQ2G83AFR-H9C 常用于需要高性能内存解决方案的设备，如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式计算平台、汽车电子系统以及工业控制设备。
H5TC4G63AMR-PBA
H5TQ1G63AFR-H9C
