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H5TQ2G83AFR-H9C 发布时间 时间:2025/9/2 12:57:18 查看 阅读:13

H5TQ2G83AFR-H9C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片采用现代半导体封装技术,广泛应用于需要高速存储和数据处理的设备中,如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他高性能计算设备。

参数

容量:2Gb(256MB)
  类型:DRAM,具体为LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)
  封装类型:FBGA
  引脚数:134
  电压:1.1V
  工作温度范围:-40°C至85°C
  数据速率:3200Mbps
  组织结构:x16
  时钟频率:1600MHz

特性

H5TQ2G83AFR-H9C 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,专为现代便携式电子设备和高性能计算应用而设计。其LPDDR4技术使其在提供高速数据传输的同时,显著降低功耗,延长电池寿命。该芯片支持高带宽操作,适用于多任务处理和图形密集型应用。此外,H5TQ2G83AFR-H9C 采用紧凑的FBGA封装,有助于节省电路板空间,适合现代移动设备的小型化设计。该芯片还具备良好的热管理和稳定性,能够在广泛的温度范围内可靠运行,适应各种严苛的工作环境。

应用

H5TQ2G83AFR-H9C 常用于需要高性能内存解决方案的设备,如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式计算平台、汽车电子系统以及工业控制设备。

替代型号

H5TC4G63AMR-PBA
  H5TQ1G63AFR-H9C

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