H5TQ2G83AFR-H9C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片采用现代半导体封装技术,广泛应用于需要高速存储和数据处理的设备中,如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他高性能计算设备。
容量:2Gb(256MB)
类型:DRAM,具体为LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)
封装类型:FBGA
引脚数:134
电压:1.1V
工作温度范围:-40°C至85°C
数据速率:3200Mbps
组织结构:x16
时钟频率:1600MHz
H5TQ2G83AFR-H9C 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,专为现代便携式电子设备和高性能计算应用而设计。其LPDDR4技术使其在提供高速数据传输的同时,显著降低功耗,延长电池寿命。该芯片支持高带宽操作,适用于多任务处理和图形密集型应用。此外,H5TQ2G83AFR-H9C 采用紧凑的FBGA封装,有助于节省电路板空间,适合现代移动设备的小型化设计。该芯片还具备良好的热管理和稳定性,能够在广泛的温度范围内可靠运行,适应各种严苛的工作环境。
H5TQ2G83AFR-H9C 常用于需要高性能内存解决方案的设备,如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式计算平台、汽车电子系统以及工业控制设备。
H5TC4G63AMR-PBA
H5TQ1G63AFR-H9C