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H5TQ2G63GFR 发布时间 时间:2025/9/2 8:03:54 查看 阅读:17

H5TQ2G63GFR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器主要用于高性能计算、网络设备、图形处理器和其他需要高速数据处理的电子设备。H5TQ2G63GFR 采用先进的制造工艺,提供较高的数据传输速率和较低的功耗,适用于现代电子设备对存储性能的严格要求。

参数

容量:2Gbit
  组织结构:x64
  封装类型:FBGA
  工作电压:1.35V - 1.5V
  接口类型:DDR3 SDRAM
  时钟频率:800MHz - 1600MHz
  数据传输速率:1600Mbps
  工作温度范围:0°C 至 85°C

特性

H5TQ2G63GFR 的主要特性之一是其高性能的内存访问能力,能够支持高达1600Mbps的数据传输速率,使其非常适合用于需要快速数据处理的应用场景。
  此外,这款DRAM芯片采用了低电压设计(1.35V至1.5V),有助于降低整体功耗并提高能效,这对于功耗敏感的设备尤为重要。
  H5TQ2G63GFR 还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定运行,适合在各种工业和商业环境中使用。
  该芯片的封装形式为FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),这种封装技术提供了更小的尺寸和更好的电气性能,使得H5TQ2G63GFR适用于高密度PCB布局的设计需求。
  同时,H5TQ2G63GFR支持多种刷新模式和自刷新功能,可以有效延长数据保持时间,降低系统功耗。

应用

H5TQ2G63GFR 主要用于高性能计算设备,如服务器和工作站,以提供快速的内存访问能力。
  它也适用于高端网络设备,如路由器和交换机,以确保数据包的快速转发和处理。
  在图形处理领域,这款DRAM芯片常用于GPU(图形处理器)模块,以支持高分辨率的图形渲染和视频处理。
  此外,H5TQ2G63GFR还可用于嵌入式系统、工业自动化设备和消费类电子产品,如智能电视和高端游戏机,以提升整体系统性能。
  由于其低功耗特性和高可靠性,H5TQ2G63GFR也被广泛应用于数据中心和云计算基础设施中。

替代型号

H5TQ2G63AFR, H5TQ1G63GFR, H5TQ2G63JFR

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