时间：2025/9/2 5:46:57
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H5TQ2G63GFR-TEI 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的存储器解决方案。该型号属于DDR4 SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别，广泛用于需要高速数据存取的计算和嵌入式系统中。H5TQ2G63GFR-TEI 提供了较大的存储容量和较高的数据传输速率，适用于网络设备、工业控制系统、服务器、高性能计算设备等应用场景。
类型：DRAM
接口：DDR4
容量：2Gbit（256MB）
电压：1.2V
封装：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据速率：1600Mbps / 2400Mbps
组织结构：x16
JEDEC标准：符合DDR4标准
H5TQ2G63GFR-TEI 是一款高性能、低功耗的DDR4 SDRAM芯片，其主要特性包括高密度存储、高速数据传输能力以及低电压运行。该芯片采用1.2V的工作电压，相比前代DDR3 SDRAM显著降低了功耗，适用于对功耗敏感的便携式和嵌入式设备。此外，H5TQ2G63GFR-TEI 支持多种频率选项（如1600Mbps和2400Mbps），能够满足不同系统对性能的需求。该芯片采用小型BGA（球栅阵列）封装，有助于提高PCB布局的灵活性，并增强热管理和电气性能。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于工业级和汽车级应用环境。
此外，H5TQ2G63GFR-TEI 支持自刷新（Self-Refresh）和部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh）功能，有助于在低功耗模式下保持数据完整性，延长电池寿命。该芯片还支持温度传感器和自适应刷新控制，以优化在不同环境温度下的性能和可靠性。这些特性使其非常适合用于需要高稳定性和长期运行的系统，如工业自动化、通信基础设施和嵌入式计算平台。
H5TQ2G63GFR-TEI 主要用于高性能计算设备、网络路由器和交换机、工业控制系统、嵌入式处理器平台、汽车电子系统、存储模块以及其他需要高速、低功耗内存的应用场景。由于其宽温范围和高可靠性，特别适合在严苛环境条件下运行的系统中使用。此外，该芯片也适用于消费类电子产品，如高端智能手机、平板电脑和固态硬盘（SSD）控制器模块。
H5TQ2G63AFR-TEI, H5TQ2G63FFR-TEI, MT48LC16M2A2B4-240B4-1G, K4A4G165WB-BC14
